1. Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України 1960—2020 / Ред. Бєляєв О.Є., Кладько В.П., Смертенко П.С., Солнцев В.С., Кінько Т.А., Кияк Ю.П. К.: Академперіодика, 2020. 290 c.
2. Optoelectronics and the SPQEO journal. P. Smertenko, D. Pekur, V. Sorokin, Z. Maksimenko. Semicond. Phys. Quantum Electron. Optoelectron. 2024. 27, №3. P.256–260. https://doi.org/10.15407/spqeo27.03.256.
3. Round H.J. A note on Carborundum. J. Electr.World. 1907. 48, №6. P.308.
4. Zheludev N. The life and times of the LED — a 100-year history. Nature Photon.2007. 1. P.189–192. https://doi.org/10.1038/nphoton.2007.3414.
5. Huff H.R. John Bardeen and transistor physics. AIP Conf. Proc. 2001. 550. P. 3–32. https://doi.org/10.1063/1.1354371
6. Maiman T.H. The Laser Odyssey. Laser Press. 2000. 216 p.
7. Holonyak N., Bevacqua S.F. Coherent (visible) light emission from Ga(As1−xPx) junctions. Appl. Phys. Lett. 1962. 1, №4. P.82–83. https://doi.org/10.1063/1.1753706.
8. Свечников С.В. Рентгенометрия применительно к контролю толщины прокатываемых листов. Изв. КПИ. 1952. 13. С.60–70.
9. Свечников С.В.Процессы релаксации фотопроводимости в монокристаллах CdS при возбуждении рентгеновскими лучами. Журнал технической физики. 1953. XXIII, №6. С.942–949.
10. Smertenko P.S. Vadim Yevgenovich Lashkarev: multifaceted talent of a scientist and personality. Optoelectron. Semicond. Tech. 2023. 58. P.5–15. https://doi.org/10.15407/iopt.
11. Свечников С.В. Разработка метода и устройства бесконтактного непрерывного контроля толщины стальных листов для целей автоматического управления нажимным механизмом тонколистных прокатных станов: автореф.дисс…канд.техн.наук. Киев, 1951. С.3–22.
12. Свечников С.В., Чалая В.Г. Фотосопротивления в ключевом режиме. Автоматика и приборостроение. 1963. №2. С.62–63.
13. Зюганов А.Н., Свечников С.В. Фотоконденсатор на основе сернистого кадмия. Радиотехника и электроника. 1965. X, №12. С.2264–2266.
14. А.с. 495006 СССР, МКИ H01 L 15/00. Лавинный фотодиод. Горбач Т.Я., Свечников С.В; заявл.18.01.74.
15. Горбач Т.Я., Свечников С.В. Профилированый лавинный фотодиод. Электр. промышленность. 1977. 61, №20.
16. Свечников С.В., Власенко Н.А., Завьялова Л.В., Савин А.К. Электролюминесцентные излучатели на основе пленок ZnS, полученных из хелатных металлоорганических соединений. Журнал технической физики. 1985. 55, вып.12. С.2406–2407.
17. Nikolaenko V.V., Svechnikov S.V., Sushkov V.P., Sypko N.I. Investigation of Current Voltage and Current Luminosity Characteristics of GaAs0.4P0.4 Light Emitting Diodes. Phys.stat.sol.(a). 1982. 74, №2. P.621–630. https://doi.org/10.1002/pssa.2210740229.
18. Власкина C.И., Зюганов А.Н., Романенко В.Ф., Свечников С.В., Сергеев О.Т., Смертенко П.С. Определение параметров карбид-кремниевых светодиодов по вольт-амперным характеристикам. Техника средств связи. Серия общетехнич. (ОТ).1982. Вып. 5. С.85–93.
19. Гаприндашвили Х.И., Джангобегов Р.П., Свечников С.В., Хоруженко В.Ю. Применение фокона в оптроне. Электронная техника. Серия YI. Микроэлектроника. 1969. Вып.6. С.95–99.
20. Зюганов А.Н., Свечников С.В., Смертенко П.С., Сорокин В.М. Исследование электропроводности нематических жидких кристаллов на основе обобщенной теории инжекционно-контактных явлений. Полупроводниковая техника и микроэлектроника. 1980. Вып. 31. С.19–26.
21. А.с. 408335 СССР, МКИ G06 G 9/00. Оптоэлектронное интегрирующее устройство. Свечников С.В., Олексенко П.Ф., Сыпко Н.И., Шарадкин А.М.; заявл. 12.07.71; опубл. 10.12.73.
22. Красников Н.И., Свечников С.В. Преобразователь изображения. Электронная техника. Серия YI. Микроэлектроника. 1971. Вып. 2(28). С.49–52.
23. Петренко А.И., Свечников С.В. Основные направления в развитии читающих автоматов. Изв.вузов. Радиотехника. 1961. IY, №3. С.240–253.
24. Гаприндашвили Х.И., Рябинин А.Д., Свечников С.В., Чибалашвили Ю.Л., Шквар А.М. Оптоэлектронная модель первых слоев сетчатки зрительного анализатора. Полупроводниковая техника и микроэлектроника. 1972. №8. С.15–21.
25. Свечников С.В., Попов М.А., Шквар А.М., Чусь Д.И. Минимизация обобщенного спектрального анализа изображений на основе линейно-пороговых функций. Микроэлектроника. 1979. 8, вып. 4. С. 362–371.
26. Шквар А.М., Свечников С.В. Динамическая классификация образов в многослойных нейроподобных структурах. Микроэлектроника. 1983. 12, вып. 6. С. 573–579.
27. Свєчніков С.В. Оптоелектронiка. Київ: Технiка, 1968.
28. Свечников С.В. Состояние и пути развития оптоэлектроники. Из. вузов. Радиоэлектроника. 1980. 13, №4. С.462–480.
29. Свечников С.В. Элементы и принципы оптоэлектроники. Микроэлектроника. 1981.
30. Свєчніков С.В. Перспективи застосування матерiалiв AIIBVI в оптоелектронiцi. Вiсник АН УРСР. 1985. №4. С.8 –17.
31. Свечніков С.В. Оптоелектронiка: стан i перспективи розвитку. Вiсник АН УРСР. 1986. №11. С.6–17.
32. Свечников С.В. Новые нетрадиционные материалы для опто- и микроэлектроники. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 1993. Вып. 26. С. 3–16.
33. Кретулис В.С., Олексенко П.Ф., Свечников С.В. Развязывающий и коммутирующий оптрон для устройств транзисторной электроники. Приборы и системы управления. 1969. №6. С. 27–32.
34. А.с. 240842 СССР, МПК H01J, H01 I. Оптоэлектронный преобразователь. Олексенко П.Ф., Свечников С.В., Шарадкин А.М.; заявл.09.10.67; опубл.1.04.69.
35. Богуславский Р.Е., Жаровский Л.Ф., Свечников С.В. Оптоэлектронный переключатель. Устройство для управления электролюминесцентными панелями. Электронная техника. Серия 4. ЭФП. 1971. Вып. 1. С.3–7.
36. А.с. 854214 СССР, МПК H01 L 31/18. Способ изготовления быстродействующего оптрона и его конструкция. Богданович В.Б., Зориков В.В., Свечников С.В., Михелашвили В.М., Чармакадзе Р.А., Чиковани Р.И., Чхаидзе М.А.; заявл.21.03.80.
37. Молчанов А.А., Свечников С.В. Шарадкин А.М. Об устойчивости оптрона с положительной оптической обратной связью. Автоматика и телемеханика. 1981. № 9. С.154–158.
38. Боголюбов Н.В., Богуславский Р.Е., Жаровский Л.Ф., Свечников С.В. Анализ режима динамического возбуждения оптоэлектронных ключей в схемах управления электролюминесцентными панелями. Полупроводниковая техника и микроэлектроника. 1982. № 8. С.22–29.
39. Боголюбов Н.В., Олексенко П.Ф., Свечников С.В. Импульсно-управляемый оптоэлектронный ключ как элемент схем автоматики и вычислительной техники. Полупроводниковая техника и микроэлектроника. 1982. №10. С. 56–59.
40. Богуславский Р.Е., Жаровский Л.Ф., Свечников С.В. Некоторые характеристики оптоэлектронных цепей с отрицательной обратной связью. Автоматика и телемеханика. 1982. №10. С. 161–164.
41. Зюганов А.Н., Свечников С.В. Бесконтактный следящий фотопотенциометр. Радиотехника и электроника. 1965. X, №7. С. 1335–1340.
42. Зюганов А.Н., Свечников С.В. Фотоконденсатор на основе сернистого кадмия. Радиотехника и электроника. 1965. X, №12. С. 2264–2266.
43. Боголюбов Н.В., Олексенко П.Ф., Свечников С.В. Импульсно-управляемый оптоэлектронный ключ как элемент схем автоматики и вычислительной техники. Полупроводниковая техника и микроэлектроника. 1972. №10. С.56–59.
44. Зюганов А.Н., Свечников С.В., Смовж А.К. Функциональный преобразователь на основе фоторезистора. Радиотехника и электроника. 1972. XYII, № 8. С.1720–1724.
45. Свечников С.В., Смовж А.К. К вопросу о применении фотопотенциометров в качестве функциональных преобразователей. Радиотехника и электроника. 1972. XYII, №5. С.1067–1071.
46. Богданович В.Б., Каганович Э.Б., Свечников С.В., Синицын А.Г., Чупрынин В.А. Тонкопленочные фоторезисторы для экспонометрических приборов. Техника кино и телевидения. 1975. №10. С.11–12.
47. А.с. 989987 СССР, МКИ G06 G9/00. Оптоэлектронный функциональный преобразователь. Свечников С.В., Смовж А.К., Горловский В.Б., Евдокимов Л.Б., Рахлин М.Я.; заявл.25.11.80.
48. А.с. 1237005 СССР, МПК H01 L 31/04. Полупроводниковый фотоприемник. Горбач Т.Я., Матвеева Л.А., Рубан М.А., Свечников С.В.; заявл.02.11.82.
49. Гаприндашвили Х.И., Свечников С.В., Чабалашвили Ю.М., Шквар А.М. Модель анализа формы изображений на основе волоконно-оптических элементов и оптоэлектронного принципа преобразования. Полупроводниковая техника и микроэлектроника. 1972. № 10. С. 3–6.
50. Свечников С.В., Грекул В.И., Шквар А.М. Об одном подходе к проблеме обучения в многослойных нейроподобных структурах. Микроэлектроника. 1975. 4, вып.6. С. 561–567.
51. Свечников С.В., Шквар А.М. Нейротехнические системы обработки информации. Киев: Наукова думка, 1983. 256 c.
52. Каганович Э.Б., Максименко Ю.Н., Свечников С.В., Сорокин В.М. Исследование характеристик и параметров преобразователя изображения на основе структуры фотопроводник - жидкий кристалл Микроэлектроника. 1983. 12, вып.3. С.270–272.
53. Кульчицкий В.Л., Плахотный В.П., Свечников С.В., Смовж А.К. Теоретический анализ процессов тепловыделения в распределенных фоторезисторных структурах. Микроэлектроника. 1983. 12, вып. 5. С.421–426.
54. Богданович В.Б., Свечников С.В. и др. Измерительные преобразователи перемещений на основе многоэлементных фоторезисторов. Измерительная техника. 1986. №5. С. 37–42.
55. А.с. 385296 СССР, МПК G06 G 7/60, G06 K 9/02. Модель нейрона. Гаприндашвили Х.И., Свечников С.В., Чавчанидзе В., Чибалашвили Ю.Л., Шквар А.М.; заявл.22.01.71.
56. А.с. 759965 СССР, МПК G01 R 13/00.Устройство управления световой шкалой. Бушма А.В., Бушма В.Н., Свечников С.В., Сыпко Н.И.;заявл.14.10.77; опубл.30.08.80.
57. А.с. 1571759 СССР, МПК H03 M 1/24. Многоэлементный фотоприемник для преобразователей линейных и угловых перемещений в код. Свечников С.В., Богданович В.Б., Паламарчук А.Л., Кияновский А.П., Ушенин Ю.В.; заявл.29.08.88; опубл.15.06.90.
58. Красников Н.И., Свечников С.В., Федченко А.Н. Омический прозрачный контакт. Электронная техника. Серия 8. Радиодетали. 1971. Вып. 4(25).
59. Зюганов А.Н., Михелашвили В.М., Свечников С.В. Влияние контактной инжекции на чувствительность и быстродействие фоторезисторов. Радиотехника и электроника. 1975. 20, № 9. С.1924–1933.
60. Zyuganov A.N., Svechnikov S.V., Smertenko P.S. Effect of Integrally Weak Diffusion on the Parameters of Current-Voltage Characteristics of Quasi-Monopolar Semiconductors. Phys.stat.sol.(a). 1977. 43, №1. P.333–341.
61. Зюганов А.Н., Свечников С.В. Безмодельная теория инжекционно-контактных явлений и некоторые ее применения. Микроэлектроника. 1981. 10. Вып. 2. С. 101–116.
62. Завьялова Л.В., Иванов А.М., Свечников С.В., Смертенко П.С., Чони В.Г. Исследование процесса токопрохождения в сернисто-кадмиевых продольных фотоприемниках, полученных химическим методом. Украинский физический журнал. 1984. 29, №11. С.1686–1691.
63. Зюганов А.Н., Николаенко В.В., Свечников С.В., Смертенко П.С., Сыпко Н.И. Учет воздействия джоулева нагрева на вольт-амперные характеристики инжекционных структур с высокой энергией активации. Полупроводниковая техника и микроэлектроника. 1980. Вып.32. С.7–15.
64. Зюганов А.Н., Свечников С.В., Смертенко П.С. Определение параметров бикристалла по участку насыщения BAX. Физика и техника полупроводников. 1981. 15, № 9. С. 1847–1848.
65. Власкина С.И., Зюганов А.Н., Романенко В.Ф., Свечников С.В., Сергеев О.Т., Смертенко П.С. Определение параметров карбид-кремниевых светодиодов по вольт-амперным характеристикам. Техника средств связи. Серия общетехническая. 1982. Вып. 5. С.85–93.
66. Шапарь В.Н., Свечников С.В., Зюганов А.Н., Чумачкова М.В. Вольт-амперная характеристика монополярных полупроводников для различных высокополевых механизмов электропроводности. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 1985. Вып. 9. С.3–12.
67. Гусев М.Ю., Зюганов А.Н., Иванов А.М., Свечников С.В., Смертенко П.С. Оптимальный шаг измерения вольт-амперной характеристики с целью минимизации степенной погрешности. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 1988. Вып. 14. С.26–32.
68. А.с. 1570564 СССР, МПК H01 L 21/66. Способ определения энергии и концентрации локальных центров запрещенной зоны полупроводника. Гусев М.Ю., Зюганов А.Н., Иванов А.М., Свечников С.В., Смертенко П.С.; заявл. 12.09.88; полож. реш.15.05.89.
69. Богданович В.Б., Великанов А.А., Каганович Э.Б., Островская И.К., Свечников С.В. Фоточувствительные пленки CdS, химически осажденные из водного раствора. Неорганические материалы. 1971. YII, №11. С.2075–2076.
70. Svechnikov S.V., Shtrum E.L., Klochkov V.P., Matchina S.I., Savialova L.W., Philippova A.I. Structure and photoelectric properties of thin CdSe films. Thin Solid Films. 1972. 11, № 1. P.33–41.
71. Васильєв А.Д., Горбач Т.Я., Котова Н.В., Свєчніков С.В. Метод спрямованого мiкропрофiлювання кремнiю в напiвпровiдниковiй електроніці. АН УРСР. Сер.А.Фiз.-мат.та техн. науки. 1975. №4. С.367–372.
72. А.с. 557700 СССР, МПК H01 L 21/306. Способ получения слоев полупроводниковых материалов. Жаровский Л.Ф., Завьялова Л.В., Свечников С.В., Рахлин М.Я.; заявл.15.12.75; опубл.14.01.77.
73. Рахлин М.Я., Свечников С.В., Жаровский Л.Ф., Завьялова Л.В. Получение фоточувствительных пленок из хелатных металлоорганических соединений. Полупроводниковая техника и микроэлектроника. 1979. Вып. 29. C.64–79.
74. Svechnikov S.V., Kaganovich E.B. CdSxSe1-x Photosensitive Films: Preparation, Properties and Use for Photodetectors in Optoelectronics. Thin Solid Films. 1980. 66, №1. P.41–54.
75. А.с. 1468031 СССР, МПК C30 B 25/06, 29/48. Способ получения электролюминесцентных пленок сульфида цинка, легированного марганцем. Свечников С.В., Власенко Н.А., Смовж А.К., Завьялова Л.В., Савин А.К.; заявл.15.09.86.
76. Бережинский Л.И., Власкина С.И., Родионов В.Е., Свечников С.В., Шамуратов Х.А. Начальные стадии роста эпитаксиальных пленок карбида кремния на кремниевых подложках. Украинский физический журнал. 1989. 34, № 9. С.1404–1409.
77. Svechnikov S.V., Fedorenko L.L., Kaganovich E.B. et al. Laser-thermal diagnostics of multilayer opto- and microelectronic structures. Proc. SPIE. 2113. Optical Diagnostics of Materials and Devices for Opto-, Micro-, and Quantum Electronics. 1994. https://doi.org/10.1117/12.191987.
78. Gorbach T.Ya., Rudko G.Yu., Smertenko P.S., Svechnikov S.V., Valakh M.Ya. Photoluminescence of Anisotropically Etched Silicon. Appl.Phys. 1994. A58. P.183–186. https://doi.org/10.1007/BF00332176.
79. Gorbach T.Ya., Kuzma M., Sheregii E., Smertenko P.S., Svechnikov S.V., Wisz G. Deposition of HgCdTe epitaxial layers on anisotropically etched silicon surfaces by laser evaporation. Appl.Surface Science. 1996. 96-98. P. 881–886. https://doi.org/10.1016/0169-4332(95)00583-8.
80. Планарний фоторезистор та спосіб його виготовлення: патент 56764А Україна: НОІL 31/08, НОІL 21/302. № 2002097171; заявл. 03.09.02; опубл. 15.05.03.
81. Красников Н.И., Свечников С.В. Исследование параметров эквивалентной схемы электролюминесцентной ячейки на основе сублимат-фосфора ZnS:Mn. Приборы и техника эксперимента. 1968. №1. С. 174–176.
82. Красников Н.И., Свечников С.В., Федченко А.Н. Контроль концентрации активатора в электролюминесцентных пленках. Электронная промышленность. 1972. №2. С.105–106.
83. Свечников С.В, Сукач Г.А., Сыпко Н.И., Николаенко В.В. Определение локальных температур в светоизлучающих структурах на основе GaAlAS. Журнал технической физики. 1985. 55. Вып.11. С.2265–2266.
84. Николаенко В.В., Свечников С.В, Сукач Г.А., Сушков В.П., Сыпко Н.И. Исследование электролюминесцентных характеристик диффузионных светодиодов на основе GaAs0,6P0,4 при возбуждении импульсным током. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 1986. № 9. С.10–17.
85. Сукач Г.А., Каганович Э.Б. Свечников С.В. О формировании центров излучательной рекомбинации в пленках CdSe. Изв.АН ССР. Серия. Неорганические материалы. 1987. № 8. С.1390–1391.
86. Свечников С.В., Власенко Н.А., Завьялова Л.В., Савин А.К., Смовж А.К. Электролюминесцентные пленки ZnS:Mn, полученные из хелатных металло-органических соединений с легированием в процессе роста. Журнал технической физики. 1987. 57, вып. 9. С.1861–1864.
87. Власенко Н.А., Завьялова Л.В., Свечников С.В., Белецкий А.И. Светотехнические характеристики электролюминесцентных структур на базе пленок ZnS:Mn, полученных низкотемпературным химическим осаждением. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 1991. Вып. 19. С.73–75.
88. Svechnikov S.V., Sukach, G.A., Kaganovich E.B. Research on Radiative Recombination Centre Formation in Photoconductive Cadmium Sulphide and Selenide Films. Thin Solid Films. 1988. 162, №1. P.67–71. https://doi.org/10.1016/0040-6090(88)90194-0.
89. А.с. 1322936 СССР, МПК H01 L 33/00. Способ получения электролюминесцентных пленок. Дяденко А.И., Рахлин М.Я., Родионов В.Е., Свечников С.В., Смовж А.К.; заявл. 23.08.85.
90. Sukach G.A., Smertenko P.S., Oleksenko P.F. Nakamura S. Analysis of the active region of overheating temperature in green LEDs based on Group III nitrides. Tech. Phys. 2001. 46. P.438–441.
91. Fenenko L., Adachi Ch., Nakanishi Y., Smertenko P. and Svechnikov S. Features of Electroconductivity and Electroluminescence of New Poly (9,9-Dioctylfluorenyl-2,7- Diyl) - End Capped With Polyhedral Olygomeric Silsesquioxanes. Mol. Cryst. Liq. Cryst. 2007. 467. P.303–309. https://doi.org/10.1080/15421400701224678.
92. Каганович Э.Б., Максименко Ю.Н., Свечников С.В., Сорокин В.М. Исследование характеристик и параметров преобразователя изображения на основе структуры фотопроводник - жидкий кристалл. Микроэлектроника. 1983. 12, вып.3. С.270–272.
93. Свєчніков С.В., Чала В.Г. Про спектральний розподiл рентгенопровiдностi монокристалiв CdS. Украинский физический журнал. 1963. YIII, №10. С. 1157–1163.
94. Свєчніков С.В., Чала В.Г. Дослiдження феноменологiчного квантового виходу рентгенопровiдностi CdS. Украинский физический журнал. 1965. X, №6. С.597–600.
95. Свечников С.В., Чалая В.Г. Измерение температурной зависимости подвижности носителей, созданных рентгеновским излучением, в монокристаллах CdS. Физика и техника полупроводников. 1967. 1, №4. С.488–489.
96. Камуз А.М., Олексенко П.Ф., Орешко Е.В., Свечников С.В., Стрильчук О.Н. Влияние когерентного волноводного рассеяния лазерного излучения пластинчатых монокристаллов на распределение излучения в дальней зоне их диаграммы направленности. Квантовая электроника. 1987. 14, вып.5. С.1093–1095.
97. Камуз А.М., Олексенко П.Ф., Орешко Е.В., Пендюр С.А., Свечников С.В., Таленский О.Н. Гигантское усиление фотоотражения от кадмированной приповерхностной области монокристалла сульфида кадмия. Поверхность. Физика, химия, механика. 1989. С.166–167.
98. Кириллова С.И., Моин М.Д., Примаченко В.Е., Свечников С.В., Чорнобай В.А., Дубров И.Н. Изменение электронных свойств системы Si-SiO2 при лазерном облучении. Физика и техника полупроводников. 1992. 26, вып. 8. С.1399–1403.
99. Свечников С.В., Савчук А.В., Салькова Е.Н., Каганович Э.Б. и др. Голографическая запись рубиновым лазером на кремниевой структуре. Украинский физический журнал. 1996. 41, №4. С. 412–413.
100. Свечников С.В. Нова форма творчої спiвдружностi вчених i виробничникiв. Вiсник АН УРСР. 1980. №9. С.78–82.
101. Офіційний сайт журналу «Оптоелектроніка та напівпровідникова техніка». https://www.journal-opt.org.ua/home.
102. Офіційний сайт журналу «Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics» http://www.journal-spqeo.org.ua/.
103. Svechnikov S.V., Valakh M.Ya. (editors). Optical Diagnosis of Materials and Devices for Opto-, Micro and Quantum Electronics. 1998. SPIE Proceedings. 3359. International conference on optical diagnostics of materials and devices for opto-, micro-, and quantum electronics. 13-15 May 1997.