journal-opt - abstr51-78

https://doi.org/10.15407/iopt.2019.54.051

Optoelectron. Semicond. Tech. 54, 51-78 (2019)

A.V. Sukach, V.V. Tetyorkin, A.I. Tkachuk, S.P. Trotsenko, M.Yu. Kravetskii, I.M. Matiyuk, A.V. Fedorenko

InSb Photodiodes (Review. Part V)

The most important procedures for production of diffusion InSb p-n junctions are analyzed – the cadmium diffusion and its solubility in InSb, the passivation of the active region of photodiodes and methods for its implementation. It is shown that the cadmium diffusion in InSb are satisfactorily approximated by the expression D = 1.2 10^-4exp(-1.2/kT) cm²/s in the temperature range 350-450 °C. The literature data of two methods of passivation of the active region of InSb photodiodes - the formation of anode films and surface sulfidation, which lead to a decrease in surface current, are analyzed. The data are systematized on technological operations of mechanical and chemical surface treatment of InSb substrates, which are used for the production of diffusion p-n junctions. The technological routes of mechanical, chemical-mechanical and chemical-dynamic surface treatment of InSb substrates are given, which minimize the thickness of the damaged layer, and also stoichiometerize the surface of the substrates during chemical treatments.

The influence of surface conductivity on the electrical properties of mesostructured InAs p-n junctions made by Cd diffusion is investigated. It was found that the use of 2% Br₂+HBr etching solution for manufacture of mesostructured p-n junctions leads to the appearance of surface shunt conductivity. The second chemical treatment of mesostructures in nitric acid-based solution significantly reduces the dark current and the effect of shunt conductivity on the I-U characteristics. It is shown that the dark current in p-n junctions after repeated chemical treatment of mesostructures is determined by the generation and recombination of carriers in the depletion region for the temperature range of 160-298 K, and tunneling of carriers at temperatures below 160 K.

Keywords: InSb photodiode, cadmium diffusion, p-n junction, InSb substrates, passivation, sulfidation, shunt current.

PDF

2-Sukach.pdf

References

1. Rogalskij A. Infrakrasnye detektory. Novosibirsk: Nauka, 2003. (in Russian)

2. Kies R.Dzh., Kruze P.V., Patli E.G. i dr. Fotopriemniki vidimogo i IK diapazonov. M.: Radio i svyaz, 1985. (in Russian)

3. Gossorg Zh. Infrakrasnaya termografiya. Osnovy, tehnika, primenenie. M.: Mir, 1988. (in Russian)

4. Aksenenko M.D., Baranochnikov M.L. Priemniki opticheskogo izlucheniya. Spravochnik. M.: Radio i svyaz, 1987. (in Russian)

5. Tetyorkin V.V., Sukach A.V., Tkachuk A.A. Infrared Photodiodes on II - VI and III-V Narrow Gap Semiconductors. In: Photodiodes - from fundamentals to applications. Ed. Prof. Ilgu Yun. Vienna: In Techopen, 2012. P. 403 - 426.

https://doi.org/10.5772/52930

6. Sukach A.V., Tetorkin V.V., Matiyuk I.M., Tkachuk A.I. InAs fotodiodi (Oglyad). OPT. Kiev: Nauk. dumka, 2015. Vyp. 50. S. 17 - 43. (in Ukrainian)

7. Sukach A.V., Tetorkin V.V., Matiyuk I.M., Tkachuk A.I. InSb fotodiodi (Oglyad. Chastina I). OPT. Kiev: Nauk. dumka, 2016. Vyp. 51. S. 43 - 68. (in Ukrainian)

https://doi.org/10.15407/jopt.2016.51.043

8. Sukach A.V., Tetorkin V.V., Matiyuk I.M., Tkachuk A.I. InSb fotodiodi (Oglyad. Chastina II). OPT. Kiev: Nauk. dumka, 2016. Vyp. 51. S. 69 - 90. (in Ukrainian)

https://doi.org/10.15407/jopt.2016.51.069

9. Miroshnikov M.M. Teoreticheskie osnovy optiko-elektronnyh priborov. Leningrad: Mashinostroenie, 1977. (in Russian)

10. Indium Antimonide Detectors. Catalog Teledyne Judson Technologies. 2018. P. 12 - 15.

11. Sukach A.V., Tetorkin V.V., Matiyuk I.M., Tkachuk A.I., Trocenko S.P. InSb fotodiodi. (Oglyad. Chastina III). OPT. Kiev: Nauk. dumka, 2017. Vyp. 52. S. 5 - 36. (in Ukrainian)

https://doi.org/10.15407/jopt.2017.52.005

12. Sukach A.V., Tetorkin V.V., Matiyuk I.M., Tkachuk A.I., Trocenko S.P. InSb fotodiodi (Oglyad. Chastina IV). OPT. Kiev: Nauk. dumka, 2018. Vyp. 53. S. 17 - 38. (in Ukrainian)

13. Hall D.N., Aikens R.S., Jouse R. et al. Johnson noise limited operation of photovoltaic InSb detectors. Appl. Opt. 1975. 14, N 2. P. 450 - 453.

https://doi.org/10.1364/AO.14.000450

14. Astahov V.P., Gindin P.D., Karpov V.V. i dr. Rezultaty razrabotki fotodiodov na InSb s ultranizkimi temnovymi tokami dlya vysokochuvstvitelnyh PZS. Prikladnaya fizika. 1999. № 2.

S. 73 -79. (in Russian)

15. Gerasimenko N.N., Guzev A.A., Kuryshev G.L. i dr. Primenenie metodov ionnogo legirovaniya dlya sozdaniya p-n-perehodov na InSb i InAs. Preprint 2. Institut fiziki poluprovodnikov SO AN SSSR. Novosibirsk: Institut fiziki poluprovodnikov SO AN SSSR, 1991. (in Russian)

16. Blom I. and Nemirovsky Y. Surface passivation backside-illuminated indium antimonide focal plane array. IEEE Trans. Electron. Devices. 1993. 40, N 2. P. 303 - 313.

https://doi.org/10.1109/16.182506

17. Miroshnikova I.N., Gulyaev A.M., Nedoruba D.A. Primenenie shumovoj spektroskopii dlya prognozirovaniya nadezhnosti priemnikov IK-izlucheniya na osnove antimonida indiya. Priklad. fiz. 2003. № 6. S. 92 - 97. (in Russian)

18. Astahov V.P., Karpov V.V., Krapuhin V.V. i dr. Fotodiody iz antimonida indiya s effektom Mossa - Burshtejna na osnove zhidkofaznyh struktur. Priklad. fiz. 2012. № 4. S. 79 - 82. (in Russian)

19. Burlakov I.D., Boltar K.D., Vlasov P.V. i dr. Fotoelektricheskie harakteristiki MFPU na osnove epitaksialnyh sloev antimonida indiya na vysokolegirovannoj podlozhke. Priklad. fiz. 2016. №3. S. 58 - 64. (in Russian)

20. Luft B.D., Perevoshikov V.A., Vozmilova L.N. i dr. Fiziko-himicheskie metody obrabotki poverhnosti poluprovodnikov. M.: Radiosvyaz, 1982. (in Russian)

21. Perevoshikov V.A., Skupov V.D. Osobennosti abrazivnoj i himicheskoj obrabotki poverhnosti poluprovodnikov. Nizhnij Novgorod: NNGU, 1992. (in Russian)

22. Danilenko S.G. Rozrobka travilnih kompozicij ta tehnologichnih procesiv formuvannya polirovanih poverhon pidkladok arsenidu ta antimonidu indiyu dlya priladiv ICh-tehniki: avtoref. dis. kand. tehn. nauk. Kiyiv, 2000. 15 s. (in Ukrainian)

23. Kiseleva L.V., Lopuhin A.A., Mezin Yu.S. i dr. Vliyanie rezhimov himicheskoj obrabotki monokristallov InSb na sostav i strukturu poverhnosti. Priklad. fiz. 2015. №5. S. 84 - 89. (in Russian)

24. Lopuhin A.A. Vliyanie tolshiny fotochuvstvitelnyh sloev na svojstva MFPU na osnove antimonida indiya. Priklad. fiz. 2014. №6. S. 66 - 69. (in Russian)

25. Boltar K.D., Vlasov P.V., Eroshenkov V.V., Lopuhin A.A. Issledovanie fotodiodov s tokami utechki v matrichnyh fotopriemnikah na osnove antimonida indiya. Priklad. fiz. 2014. №4. S. 45 - 50. (in Russian)

26. Grishina A.N., Vlasov P.V., Eroshenkov V.V., Lopuhin A.A. Vliyanie parametrov mezastruktury na defektnost matrichnyh fotopriemnyh ustrojstv na osnove antimonida indiya. Priklad. fiz. 2017. №1. S. 26 - 30. (in Russian)

27. Sukach A.V., Tetorkin V.V., Tkachuk A.I., Trocenko S.P. InSb fotodiodi (Oglyad. Chastina III) OPT. Kiyiv: Nauk. dumka, 2017. Vyp. 52. S. 140 - 149. (in Ukrainian)

https://doi.org/10.15407/jopt.2017.52.005

28. Goltvyanskij Yu.V., Gudimenko O.J., Dubikovskij O.V. ta in. Doslidzhennya procesiv formuvannya fotodiodiv v InSb pri ionnij implantaciyi beriliyu. OPT. Kiyiv: Nauk. dumka, 2017. Vyp. 52. C. 141 - 150. (in Ukrainian)

29. Shabrin A.D., Goncharov A.E., Pashkeev D.A. Analiz razorientacii monokristallicheskih blokov obemnogo kristalla InSb. Priklad. fiz. 2017. №3. S. 101 - 106. (in Russian)

30. Sun Tai-Ping, Lee Si-Chen, Yang Cheng-Jeen. The current leakage mechanism in InSb p+-n-diodes. J. Apll. Phys. 1990. 67, No. 11. P. 7092 - 7097.

https://doi.org/10.1063/1.345059

31. Kuryshev G.L., Myasnikov A.M., Obodnikov V.I. i dr. Pereraspredelenie berilliya v InSb i InAs pri vnedrenii ionov i posleduyushem otzhige. FTP. 1994. 28, №3. S. 439 - 442. (in Russian)

32. Kolcov G.I., Makarov V.V., Yurchuk S.Yu. Profili implantirovannogo berilliya v poluprovodnikovyh soedineniyah AIIBV. FTP. 1996. 39, №10. S 1907 - 1916. (in Russian)

33. Jialu Liu, Tinging Zhang. Rapid thermal annealing characteristics of Be implanted into InSb. Appl. Surf. Sci. 1998. 126, No. 2. P. 231 - 234.

https://doi.org/10.1016/S0169-4332(97)00695-8

34. Trohin A.S., Skakun N.A., Stoyanova I.G. i dr. Lokalizaciya atomov berilliya v kristallicheskoj reshetke antimonida indiya pri ionnoj implantacii. Poverhnost. Fizika, himiya, mehanika. 1988. №8. S. 144 - 146. (in Russian)

35. Sukach A.V., Tetyorkin V.V. and Tkachuk A.I. Electrical properties of InSb p-n junctions prepared by diffusion method. Carrier transport mechanisms in reverse biased InSb p-n functions. SPQEO. 2016. 19, No 3. P. 295 - 298.

https://doi.org/10.15407/spqeo19.03.295

36. Madelung O. Fizika poluprovodnikovyh soedinenij elementov III i V grupp. M.: Mir, 1967. 466 s. (in Russian)

37. Wimmers J.T., Davis R.M., Niblack C.A. and Smith D.S. Indium antimonide detector technology of Cincinati Electronics Corporation. Proc. SPIE. 1988. 930. P. 125 - 138.

https://doi.org/10.1117/12.946633

38. Nishitani K., Nagahama K. and Mutorani T. Extremally reproducible zinc diffusion into InSb and its applications to infrared array. J. Electron. Mater. 1983. 12, No. 1. P. 125 - 141.

https://doi.org/10.1007/BF02651639

39. Simchi H., Bagreani Sh. and Saani M.H. Cleaning InSb wafers for manufacturing InSb detectors. Eur. Phys. J. Appl. Phys. 2006. 33, No. 1. P. 1 - 4.

https://doi.org/10.1051/epjap:2006001

40. Boltaks B.I., Sokolov V.I. Issledovanie diffuzii kadmiya v antimonide indiya metodom poslojnoj avtoradiografii. FTT. 1963. 5, №4. S. 1077 - 1081. (in Russian)

41. Gusev I.A., Murin A.N., Seregin P.P. O diffuzii kadmiya v antimonide indiya. FTT. 1964. 6, №6. S. 1895 - 1896. (in Russian)

42. Catagnus P.C., Polansky C. and Spratt J.P. Diffusion of cadmium into InSb. Solid-State Electron. 1973. 16, No. 4. P. 633 - 635.

https://doi.org/10.1016/0038-1101(73)90164-0

43. Abdullaev G.B., Dzhafarov T.D. Atomnaya diffuziya v poluprovodnikovyh strukturah. M.: Atomizdat, 1980. 280 s. (in Russian)

44. Boltaks B.I. Diffuziya v poluprovodnikah. M.: Fizmatgiz, 1961. 482 s. (in Russian)

45. Atomnaya diffuziya v poluprovodnikah. Pod red. D. Shou. M.: Mir, 1975. 684 s. (in Russian)

46. Shtabnova V.L., Kirovskaya I.A. Himicheskij sostav poverhnosti soedinenij InBV. Izv. AN SSSR. Neorgan. mater. 1989. 25, №2. S. 207 - 211. (in Russian)

47. Brilliantov A.I., Korotkov A.V., Novotockij-Vlasov Yu.F. Effekt polya na poverhnostyah (111) i (111) p-InSb. Elektronnaya tehnika. Ser. Materialy. 1969. №6. S. 61 - 64. (in Russian)

48. Astahov V.P., Gindin P.D., Karpov V.V., Talimov A.V. Povyshenie termostojkosti fotodiodov na InSb. Priklad. fiz. 2002. №1. S 56 - 62. (in Russian)

49. Korwin-Pawlowski M.I., Heassel E.L. Characteristics MOS capacitors formed on p-type InSb. Phys. Status Solidi (a). 1974. 24, N 3. P. 649 - 652.

https://doi.org/10.1002/pssa.2210240233

50. Langan J.D., Wiswanatham C.R. Characterisation of improved InSb interfaces. J. Vac. Sei.Technol. 1979. 16, N 5. P. 1474 - 1477.

https://doi.org/10.1116/1.570225

51. Hang R.Y., Yon E.T. Surface study of anolised indium antimonide. J. Appl. Phys. 1970. 41, N 5. P. 2185 - 2189.

https://doi.org/10.1063/1.1659187

52. Beketov G.V., Sukach A.V., Tetyorkin V.V., Trotsenko S.P. Trap-assisted conductivity in anodic oxide on InSb. SPQEO. 2017. 20, No 4. P. 470 - 474.

https://doi.org/10.15407/spqeo20.04.470

53. 53.Lebedev M.V., Shimomura M., Fukuda Y. Rekonstrukciya poverhnosti InSb(111)A pri adsorbcii sery. FTP. 2007. 41, № 5. S. 539 - 543. (in Russian)

https://doi.org/10.1134/S1063782607050077

54. 54. Park S.H., Song T.Y., Kim H.S. at al. Optimization the fabrication process of InSb Schottky diodes. J. Korean Phys. Soc. 2008. 53, № 4. P. 1854 - 1858.

https://doi.org/10.3938/jkps.53.1854

55. Kompanichenko N.M., Omelchuk A.A., Kozin V.F. Vzaimodejstvie arsenida indiya i antimonida galliya s seroj. Neorg. mater. 2003. 39, № 3. S. 276 - 281. (in Russian)

https://doi.org/10.1023/A:1022657020529

56. Simchi H., Sareminia Gh., Shafiekhani A. at al. Passivation of InSb surface for manufacturing infrared devices. Infrared Physics & Technology. 2008. 51, № 2. P. 263 - 269.

https://doi.org/10.1016/j.infrared.2007.09.001

57. Odendaal V., Botha J.R. and Aurent F.D. On the processing of InAs and InSb photodiode applications. Phys. Status Solidi (c). 2008. 5, № 2. P. 580 - 582.

https://doi.org/10.1002/pssc.200776821

58. Lebedev M.V., Sherstnev V.V., Kunicyna E.V. i dr. Passivaciya fotodiodov dlya infrakrasnoj oblasti spektra spirtovym sulfidnym rastvorom. FTP. 2011. 45, № 4. S. 535 - 539. (in Russian)

https://doi.org/10.1134/S1063782611040142

59. Lvova T.V., Dunaevskij M.S., Lebedev M.V. i dr. Himicheskaya passivaciya podlozhek InSb (100) v vodnyh rastvorah sulfida natriya. FTP. 2013. 47, № 5. S. 710 - 716. (in Russian)

https://doi.org/10.1134/S106378261305014X

60. Breitenstein O. Understanding Shunting Mechanisms in Silicon Cells: A Review. Proc. 17th NREAL workshop on crystalline silicon solar cells and modules: materials and processes. 2007. P.61-70.

61. Breitenstein O., Bauer J, Rakotonia J. P. Material-induced shunts in multicrystalline silicon solar cells. FTP. 2007. 41, №4. S.454-457.

https://doi.org/10.1134/S106378260704015X

62. Dongaonkar S, Servaites J. D., Ford G.M. et al. Universality of non-Ohmic shunt leakage in thin-film solar cells. J. Appl. Phys. 2010. 108, 124509.

https://doi.org/10.1063/1.3518509

63. Breitenstein O., Altermatt P., Ramspeck K., Green M. A., Zhao J., Schenk A.. Interpretation of the commonly observed IV characteristics of c-Si cells having ideality factor larger than two. IEEE 4th World Conference on Photovoltaic Energy Conference 1. 2006. P.879-884.

https://doi.org/10.1109/WCPEC.2006.279597

64. Tobin S.P., Iwasa S., Tredwell T.J. 1/f Noise in (Hg, Cd)Te Photodiodes. IEEE Trans. Electron. Dev. 1980. ED-27, N1. P.43-48.

https://doi.org/10.1109/T-ED.1980.19817

65. Vishnu Gopal, Sudha Gupta. Temperature dependence of ohmic shunt resistance in mercury cadmium telluride junction diode. Infrared Physics & Technology. 2004. 45. P. 265-271.

https://doi.org/10.1016/j.infrared.2003.11.008

66. Johnson S.M., Rhiger D. R., Rosbeck J. P., Peterson J. M., Taylor S. M. et al. Effect of dislocations on the electrical and optical properties of long wavelength infrared HgCdTe photovoltaic detectors. J. Vac. Sci. Technol. 1992. B10. P.1499-1503.

https://doi.org/10.1116/1.586278

67. Vishnu Gopal and Sudha Gupta. Modelling of the electrical effect of Dislocations in HgCdTe Infrared Photodiodes. Proc. 13th IWPSD. 2005. 2, P 1013-1021. Published by Allied Publishers Ltd., New Delhi, India. Eds. Vikram Kumar, S. K. Agarwal and S. N. Singh.

68. Shabel'nikova Ya. L., Yakimov E.B. Comparison between the EBIC and XBIC contrasts of dislocations and grain boundaries. J. Surf. Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techn. 2012. 6, N6. P.894-896.

https://doi.org/10.1134/S1027451012110109

69. Domaradzki J. Light Beam Induced Current (LBIC) technique for semiconductors and ICs Testing. Proc. SPIE. 2002. 5064. P.269-274.

70. Ballif C., Peters S., Isenberg J., Riepe S., Borchert D.. Shunt Imaging in Solar Cells Using Low Cost Commercial Liquid Crystal Sheets. Proc. 29th IEEE PVSC. 2002. P. 446-449.

71. Breitenstein O., Rakotoniaina J. P. Comparison of Shunt Imaging by Liquid Crystal Sheets and Lock-in Thermography. Proc. 12th Workshop on Crystalline Solar Cell Materials and Processes. 2002. P. 244-247.

72. Breitensteina O., Straube H., Iwig K. Lock-in thermography with depth resolution on silicon solar cells. Solar Energy Materials and Solar Cells. 2018. 185. P.66-74.

https://doi.org/10.1016/j.solmat.2018.05.009

73. Indium Antimonide Detectors. www.judsontechnologies.com.

74. Ando T., Fauler A., Stern F. Elektronnye svojstva dvumernyh sistem. M.: Mir, 1985. 416 s. (in Russian)

75. Balagurov L. A., Borkovskaya O.Yu., Dmitruk N.L. i dr. Poverhnostnyj potencial i poverhnostnye sostoyaniya v monokristallah InAs. FTP. 1976. 10, №6. S. 1108 - 1114. (in Russian)

76. Esina N.P., Zotova N.V., Karandashev S.A. i dr. Struktura metall - poluprovodnik na osnove p- InAs. FTP. 1983. 17, №6. S. 991 - 995. (in Russian)

77. Kalamejcev A.V., Romanov D. A., Kovchavcev A. P. i dr. Priroda otricatelnogo differencialnogo soprotivleniya neidealnogo barera Shottki na osnove arsenida indiya. FTP. 1997. 31, №3. S. 370 - 376. (in Russian)

78. Y. Kucherov Y., Hagelstein P., Sevastyanenko V., Brown H. L.. Study of emitter structures for InSb thermal diodes. 22nd Int. Conf. Thermoelectrics. 2002. P.578-581.

79. Hagelstein P. L., Kucherov Y. Enhanced figure of merit in thermal to electrical energy conversion using diode structures. Appl. Phys. Let. 2002. 81, N3. P. 559-561.

https://doi.org/10.1063/1.1493224

80. Sukach A. V., Olejnik G. S., Teterkin V. V. i dr. Issledovanie mehanizmov perenosa zaryada v diffuzionnyh InAs p-n- perehodah. OPT. Kiev: Nauk. dumka, 2005. - Vyp. 40. - S. 248 - 257. (in Russian)

81. Sukach A.V., Teterkin V.V. Transformaciya elektricheskih svojstv InAs p-n- perehodov v rezultate ultrazvukovoj obrabotki. Pisma ZhTF. 2009. 35, №11. S. 67 - 75. (in Russian)

82. Fridel Zh. Dislokacii. M.: Mir, 1967. 643 s. (in Russian)

83. Granato A., Lyukke K. Strunnaya model dislokacii i dislokacionnoe pogloshenie zvuka. V kn.: Fizicheskaya akustika. Pod red. U Mezena. M.: Mir. 1969. t.4, ch. A. S. 261-321. (in Russian)

84. Ostrovskij I.V. Akustolyuminescenciya i defekty kristallov. K.: Visha shkola. 1993. 223 s. (in Russian)

85. Skupov V.D., Tetelbaum D.I. O vliyanii uprugih napryazhenij na transformaciyu defektov v poluprovodnikah. FTP. 1987. 21,№8. S. 1495-1497. (in Russian)

86. Lampert M. A., Mark P.. Current Injection in Solids. Academic Press, New York. 1970.

87. Kao K. C., Hwang W. Electrical Transport in Solids With Particular Reference to Organic Semiconductors. Pergamon Press, Oxford. 1981.

88. Fotopriemniki vidimogo i IK diapazonov. Pod red. R.Dzh. Kies. M.: Radio i svyaz, 1985. 328 s. (in Russian)

А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, А.І. Ткачук¹, С.П. Троценко, М.Ю. Кравецький, І.М. Матіюк, А.В. Федоренко

InSb фотодіоди (огляд. Частина V)

Аналізуються найбільш важливі операції виготовлення дифузійних InSb p-n переходів – закономірності дифузії кадмію та його розчинність в InSb, пасивація активної області фотодіодів та способи її реалізації. Показано, що коефіцієнти дифузії кадмію в InSb задовільно апроксимуються виразом D = 1.2×10^-4exp(-1.2/kT) см²/с в інтервалі температур 350-450°С. Проаналізовані літературні дані двох способів пасивації активної області InSb фотодіодів – формування анодних плівок та сульфідування поверхні, які приводять до зменшення поверхневого струму. Систематизовані дані з технологічних операцій механічної та хімічної обробок поверхні підкладок InSb, призначених для виготовлення дифузійних p-n-переходів. Наводяться технологічні маршрути механічної, хіміко-механічної та хіміко-динамічної обробки поверхні підкладок InSb, які мінімізують товщину порушеного шару, а також стехіометризують поверхню підкладок при хімічних обробках.

Досліджений вплив поверхневої провідності на електричні властивості плавних мезаструктурних InAs p-n переходів, виготовлених дифузійним методом. Встановлено, що використання травника 2% Br₂+HBr для виготовлення мезаструктур в p-n-переходах приводить до виникнення поверхневої шунтуючої провідності. Повторна хімічна обробка мезаструктур у травнику на основі азотної кислоти суттєво зменшує темнові струми та вплив шунтуючої провідності на ВАХ переходів. Показано, що темновий струм в p-n переходах після повторної хімічної обробки мезаструктур визначається процесами генерації та рекомбінаціїї носіїв в ОПЗ для інтервалу температур 160-298 К, а при температурах менших 160 К – тунелюванням за участю дислокацій.

Ключові слова: InSb фотодіод, дифузія кадмію, p-n-перехід, підкладки InSb, пасивація, сульфідація, шунтуючий струм.

Back / Повернутися