Optoelectronics and Semiconductor Technique
Оптоeлектроніка та напівпровідникова техніка
ISSN 1011-6559 (1982-2018) | ISSN 2707-6806 (print) ISSN 2707-6792 (online)
Abbreviated key-title: Optoelektron. napìvprovìd. teh.
ISSN 1011-6559 (1982-2018) | ISSN 2707-6806 (print) ISSN 2707-6792 (online)
Abbreviated key-title: Optoelektron. napìvprovìd. teh.
Т. 58 (2023) | to English version
ЗМІСТ
П.С. Смертенко. Вадим Євгенович Лашкарьов: багатогранний талант науковця і особистість 5-15
Д.В. Пекур, В.М. Сорокін. Стан і перспективи розвитку білих світлодіодів з випромінюванням, наближеним до природного 16-20
Д.В. Корбутяк, О.Г. Косинов, Б.Н. Кульчицький. Ультрамалі квантові точки: особливості синтезу, оптичні властивості та перспективи практичного використання (огляд)21-45
В.В. Тетьоркін, А.І. Ткачук, А.Т. Ворощенко, К.В. Андрєєва, А.З. Євменова. InSb фотодіоди (огляд. Частина VI) 46-62
М.В. Попович, О.В. Стронський, Л.О. Ревуцька. Халькогенідні стекла: структурні і оптичні властивості (огляд) 63-91
А.М. Міняйло, І.В. Пекур, В.І. Корнага, Д.В. Пекур, В.М. Сорокін. Шляхи побудови енергоефективних світлодіодних систем фітоосвітлення 92-101
О.С. Пітяков, С.В. Шпак, Т.В. Сахно, С.Г. Кислиця, Г.М. Кожушко. Оцінка відповідності параметрів світлодіодних джерел світла вимогам нових регламентів Комісії ЄС 2019/2020 та ЄС 2019/2015 102-113
Б.Г. Шабашкевич, Ю.Г. Добровольський, В.І. Назаренко. LED джерела ультрафіолетового випромінювання: методичне та приладове забезпечення з урахуванням гармонізації законодавства ЄС та України 114-121
Н.В. Качур, Г.В. Дорожинський, А.В. Федоренко, В.П. Маслов. Вплив оптичного скла як підкладки в ППР-сенсорах на стабільність результатів вимірювання до температурних коливань 122-127
П.О. Генцарь, М.А. Міняйло, Л.А. Демчина, М.В. Вуйчик, О.І Власенко Оптична спектроскопія детекторних високоомних монокристалів CdTe (111) та твердих розчинів Cd1-xZnxTe (х= 0,1) 128-135
О.М. Камуз, Д.М. Хміль, П.О. Титаренко, В.С. Кретуліс, І.Є. Мінакова, Б.А. Снопок. Методика визначення показника поглинання світла мікрочастинками порошку люмінофора YAG:Сe3+ та її технологічне забезпечення 136-146
Л.А. Демчина, А.М. Міняйло, М.В. Вуйчик, П.О. Генцарь, С.М. Левицький, О.І. Власенко. Вплив лазерного випромінювання на оптичні властивості тонких приповерхневих шарів напівпровідників 147-157
І.З. Індутний, В.І. Минько, М.В. Сопінський, В.А. Данько, А.А. Корчовий. Вплив тонких плівок Se на ефективність збудження поверхневих плазмон-поляритонів в срібних та алюмінієвих голографічних решітках 158-166
С.О. Кравченко, Е.Г. Манойлов, І.В. Кругленко, І.М. Кріщенко, Б.А. Снопок. Хімічне різноступеневе травлення поверхні тонких плівок срібла 167-177
С.M. Левицький, Ц. Цао, О.В. Стронський. Механізми масопереносу індію в Cd(Zn)Te при дії наносекундних лазерних імпульсів 178-186
П.П. Говоров, А.К. Кіндінова. Моделювання процесів створення світлового простору у бактерицидних ультрафіолетових світлодіодних установках 187-194
А.А. Крючин, В.В. Петров, В.М. Рубіш, С.О. Костюкевич, К.В. Костюкевич. Створення активних оптичних метаповерхонь на плівках халькогенідних напівпровідників зі зміною фазового стану 195-205