journal-opt - abstr5-15

https://doi.org/10.15407/iopt.2023.58.005

Optoelectron. Semicond. Tech. 58, 5-15 (2023)

P.S. Smertenko

Vadim Evgenievich Lashkarev and optoelectronics

On 7 October 2023, the scientific community celebrated the 120th anniversary of the birth of

Vadym Yevhenovych Lashkariov, a physicist, discoverer of the p-n junction, teacher, organiser of science, and

simply a smart and decent person (07.10.2003 - 01.12.1974). In our opinion, the significance and influence of

V.E. Lashkarev on the further development of physics, in particular semiconductor physics in Ukraine, has not

been sufficiently revealed, although a number of articles have been published over the past decades on the life

and scientific work of Vadym Yevhenovych. This article aims to look at the scientific work of Vadym

Yevhenovych in the light of the newly emerging field of optoelectronics. The article shows some new aspects of

the life and work of Academician of the National Academy of Sciences of Ukraine Vadym Yevhenovych

Lashkariov, which are based on documents signed by him personally. Despite the blows of fate: exile and the

Second World War, Vadym Yevhenovych retained his scientific inspiration and a far-sighted vision of the

development of a new scientific field - semiconductor physics. The directions of the V. Lashkarev scientific

school of semiconductor physics are analysed in details: studies of generation-recombination processes and

electronic transport in semiconductors and semiconductor structures; theoretical and experimental studies of

surface phenomena in semiconductors; theoretical and experimental studies of electronic transfer of two-

dimensional free charge carriers in semiconductor nanostructures; studies of electrophysical and photoelectric

effects in semiconductors and layered structures. Some examples of monographs and articles by students and

followers of the V. Lashkarev scientific school, who developed the initial scientific fields and modernised the

physics of semiconductors, are given.

Keywords: p-n junction; V. Lashkarev; semiconductor physics; optoelectronics; V. Lashkarev

scientific school; Institute of Semiconductors of the UkrSSR Academy of Sciences.

PDF

References

1. Lytovchenko V. H. Moi naukovi kontakty z V.Ie.Lashkarovym. UFZh. 2014. 59, № 8.

2. Lytovchenko V.H. Moi naukovi kontakty z V.Ie. Lashkarovym - pershovidkryvachem р-n -perekhodu.

Fizyka i khimiia tverdoho tila. 2014. 15, № 3. S. 449-456.

3. Lytovchenko V.H. Akademik NAN Ukrainy Vadym Yevhenovych Lashkarov - vydatnyi fizyk XX

stolittia, pershovidkryvach р-n-perekhodu. UFZh. 2016. 16, № 2. S. 187-190.

https://doi.org/10.1215/15314200-3159183

https://doi.org/10.15407/ujpe61.02.0181.

4. Khramov Yu.O. Istorychna fizyka Ukrainy. Providni fizychni shkoly Ukrainy. Shkola Lashkarova. NAN

Ukrainy, DU «Instytut doslidzh. nauk.-tekhn. potentsialu ta istorii nauky im. H.M. Dobrova NAN

Ukrainy». K. Feniks. 2020. S. 473-479.

5. Strikha V.I. Vadym Yevhenovych Lashkarov - patriarkh fizyky napivprovidnykiv. V kn.: Vitalii

Ilarionovych Strikha (1931-1999). AN vyshchoi shkoly Ukrainy. Seriia «Vyznachni vcheni». Uporiadnyk

ta redaktor M.V.Strikha. Vyd. druhe, dopovnene. Kyiv. Dukh i Litera. 2021. S. 106-107.

6. Solntsev V.S., Smertenko P.S. Naukovyi vnesok Vadyma Yevhenovycha Lashkarova u rozvytok fizyky i

tekhniky napivprovidnykiv (do 120-richchia vid dnia narodzhennia). Nauka ta naukoznavstvo. 2023. 3, №

121. S. 166-185. https://doi.org/10.15407/sofs2023.03.166.

https://doi.org/10.15407/sofs2023.03.166

7. Lashkarev V.E. Issledovaniye zapirayushchikh sloev metodom termozonda. Izv. AN SSSR. Ser. fiz. T.

1941. 5. № 4-5. S. 442-446.

8. Lashkarev V.E. Poluprovodniki. Tekhnika molodezhi. 1950.№ 1. S. 4-6.

9. Instytut fizyky napivprovidnykiv im. V.Ie. Lashkarova NAN Ukrainy 1960-2020. Red. Bieliaiev O.Ie.,

Kladko V.P., Smertenko P.S., Solntsev V.S., Kinko T.A., Kyiak Yu.P. K.: Akademperiodyka. 2020.

10. Malynovskyi B.M. Vidome ta nevidome v istorii informatsiinykh tekhnolohii. Visnyk NAN Ukrainy.

2001. № 1. S. 40-54.

11. Laschkarew W. Ableitung des Fresnelschen Mitfhrungskoeffizienten aus der Lichtquantentheorie.

Zeitschrift fьr Physik. 1927. 44. Is. 4-5. P. 359-360. https://doi.org/10.1007/BF01391202.

https://doi.org/10.1007/BF01391202

12. Laschkarew W. Zur Theorie der Bewegung von Materie und Lichtim Gravitationsfelde. Zeitschrift fьr

Physik. 1927. 44. Is. 4-5. P. 361-368. https:// doi.org/10.1007/BF01391203.

https://doi.org/10.1007/BF01391203

13. Linnik W., Laschkarew W. Die Bestimmung des Brechungsindex der Rtsntgenstrahlenaus der

Erscheinung der Totalreflexion. Zeitschrift fьr Physik. 1926. 38. Is. 9-10. P. 659-671.

https://doi.org/10.1007/BF01397358

14. Linnyk V.P., Lashkarov V.Ie. Znakhodzhennia pokaznyka zalomlennia renthenivskykh promeniv z

yavyshch tsilkovytoho seredovoho vidbyttia. Ukr. Fiz. Zap. 1927. 1. Zshytok 2. S. 3-11.

15. Lashkarov V.Ie. Do teorii rukhu materii ta svitla v hravitatsiinomu poli. Ukr. Fiz. Zap. 1927. 1. Zshytok

2. S. 12-21.

16. Svechnikov S.V. Svoystva monokristallicheskikh fotosoprotivleniy iz sernistogo kadmiya pri

vozbuzhdenii rentgenovskimi luchami. ZhTF. 1952. 22. vyp. 8. S. 1305-1314.

17. Kaganovich E.B., Svechnikov S.V., Tkhorik Yu.A. Polucheniye sublimirovannykh sloev CdS i CdSe dlya

tseley poluprovodnikovoy elektroniki. Poluprovodnikovaya tekhnika i mikroelektronika. 1966. Vyp. 1. C.

33-38.

18. Instytut fizyky napivprovidnykiv im. V.Ie. Lashkarova NAN Ukrainy. 50 rokiv (1960-2010 rr.). Za red.

V.F. Machulina. Kyiv: Intertekhnodruk, 2010. 450 s

19. Khramov Yu.A. Istoriya fiziki. 2006.Kiyev: Feniks. 1176 s.

20. Khramov Yu.O. Solomon Isakovych Pekar i yoho naukova shkola (do 100-richchia vid dnia

narodzhennia). Nauka ta naukoznavstvo. 2017. № 4. S. 107-121.

https://doi.org/10.15407/sofs2017.04.107

21. Boyko I.I., Zhadko I.P., Rashba E.I., Romanov V.A. Vozniknoveniye neravnovesnykh nositeley pri

prokhozhdenii toka cherez uprugo-deformirovannyy germaniy. FTT. 1965. 7. S. 2239-2242.

22. Sachenko A.V., Zuev V.A., Tolpygo K.B. Neravnovesnye protsessy v poluprovodnikakh i

poluprovodnikovykh priborakh. Moskva: Sov. Radio. 1977. 256 s.

23. Gorodetskiy I.Ya., Zyuganov A.N., Smertenko P.S., Chistyakova N.Ya., Sheynkman M.K. Volt-

ampernye kharakteristiki i elektrolyuminestsentsiya monokristallov PbO. UFZh. 1979. 24. № 9. S.

1264-1271.

24. Korsunska N.O., Markevych I.V., Borkovska L.V., Khomenkova L.Iu., Venher Ye.F., Melnychuk L.Iu.,

Melnychuk O.V. Strukturni, optychni ta elektron-fononni vlastyvosti lehovanykh shyrokozonnykh

oksydiv. Nizhyn: NDU im. M. Hoholia, 2018. 160 c

25. Baranskyi P.I., Bieliaiev O.Ie., Haidar H.P. Kinetychni efekty v bahatodolynnykh napivprovidnykakh.

Kyiv. 2019. 448 s.

26. Nazarov A.N., Pinchuk V.M., Yanchuk T.V., Lysenko V.S., Ashok S. Enhanced activation of implanted

dopant impurity in hydrogenated crystalline silicon. Phys. Rev. B. 1998. 58, № 7. P. 3522-3525.

https://doi.org/10.1103/PhysRevB.58.3522

27. Lyashenko V.I., Litovchenko V.G., Stepko I.I. i dr. Elektronnye yavleniya na poverkhnosti

poluprovodnikov. Kiyev: Nauk. dumka. 1968. 400 s.

28. Litovchenko V. G., Snitko O. V. Poverkhnostnye svoystva kremniya. Fizika tverdogo tela. 1960. 2. № 4.

S. 591-604.

29. Gorkun Yu.I., Lysenko V.S., Litovchenko V.G., Novominskii V.A. Anisotropy of Surface Electronic

Mobility in Germanium. Phys. St. Sol. (a). 1970. 3, № 4. P. K281-284.

https://doi.org/10.1002/pssa.19700030438

30. Litvinov R.O. Vliyaniye poverkhnosti na kharakteristiki poluprovodnikovykh priborov. Kiyev: Nauk.

dumka. 1972. 116 s.

31. Litovchenko V.G., Gorban A.P. Osnovy fiziki mikroelektronnykh sistem

metall-dielektrik-poluprovodnik. Kiyev: Nauk. dumka. 1978. 316 s.

32. Snitko O.V. Problemy fiziki poverkhnosti poluprovodnikov. Kiyev: Nauk. dumka. 1981. 332 s.

33. Dobrovolsky V.N., Litovchenko V.G. Surface Electronic Transport Phenomena in Semiconduсtors

Surface. Oxford: Clarendon Press, 1991. 220 p.

34. Dmitruk N.L., Korovin A.V. Electromagnetic wave efraction on the interface of absorptive and

transparent isotropic media and non-resonant excitation of surface waves. Optics Communications. 2011.

284. P. 4254-4258. https://doi.org/10.1016/j.optcom.2011.05.051.

https://doi.org/10.1016/j.optcom.2011.05.051

35. Litovchenko V.G. Osnovy fiziki poluprovodnikovykh sloistykh sistem. Kiyev: Nauk. dumka. 1980. 284s.

36. Litovchenko V.G., Korbutyak D.V. Observation of the surface quasi-two-dimensional electro-hole

condensate. Surface Science. 1981. 104, № 1. P. 189-193. https://doi.org/10.1016/0167-2584(81)90175-4.

https://doi.org/10.1016/0167-2584(81)90175-4

37. Nesterenko B.A., Snitko O.V. Fizicheskiye svoystva atomarno-chistoy poverkhnosti poluprovodnikov.

Kiyev: Nauk. dumka. 1983. 264 s.

38. Venher Ye.F., Honcharenko A.V., Dmytruk M.L. Optyka malykh chastynok i dyspersnykh seredovyshch.

Kyiv: Nauk. dumka, 1999. 348 s.

39. Korbutyak D.V., Lytovchenko V.G., Strikha M.V. 2D semiconductor structures as a basis for new high-

tech devices (Review). Semicond. Phys. Quantum Electron. Optoelectron. 2018. 21, № 4. P. 380-386.

https://doi.org/10.15407/spqeo21.04.380

40. Sukach G.A., Smertenko P.S., Oleksenko P.F., Nakamura Sh. Analysis of the Active Region of

Overheating Temperature in Green LEDs Based on Group III Nitrides. Tech. Phys. 2001. 46. P. 438-441.

https://doi.org/10.1134/1.1365468

41. Sachenko A.V., Snitko O.V. Fotoeffekty v pripoverkhnostnykh sloyakh poluprovodnikov. Kiyev: Nauk.

dumka. 1984. 232 s.

42. Salkov E.A. Osnovy poluprovodnikovoy fotoelektroniki. Kiyev: Nauk. dumka. 1988. 280 s.

43. Bolgov S.S., Malyitenko V.K., Peshko I.I., Soskin M.S., Khyzniak A.I. Detection of the ultrashort laser

pulses by the transverse sweep-out InSb detector. Infrared Physics. 1975. 15, № 1. P. 65-66.

https://doi.org/10.1016/0020-0891(75)90011-1

44. Dmitruk N.L., Goncharenko A.V., Venger E.F. Optics of small particles and composite media. Kyiv,

2009. 386 s.

45. Torchynska T.V., Shcherbyna. L.V. SiC nanocrystal structures. In: Nanocrystals and quantum dots of

group IV semiconductors. Eds T.V. Torchynska, Yu. Vorobiev. Mexico: Mexico D.F. National

Polytechnic Institute; USA, California: American Scientific Publishers. 2010. P. 116-148.

46. Lepikh Ya.I., Hordiienko Yu.O., Dziadevych S.V., Druzhynin A.O., Yevtukh A.A., Lienkov S.V.,

Melnyk V.H., Romanov V.O. Stvorennia mikroelektronnykh datchykiv novoho pokolinnia dlia

intelektualnykh system. Odesa: Astroprynt, 2010. 289 s.

47. Nazarov A., Sun J.M., Osiyuk I.N., Tjagulskuu I.P., Lysenko V.S., Skorupa W., Yankov R.A., Gebel T.

Light emission and charge trapping in erbium doped silicon dioxide films containing silicon nanocrystals.

Appl. Phys. Lett. 2005. 86. P. 151914-1.

48. Beketov H.V., Klymov O.S., Matiash I.Ie., Oberemok Ye.A., Rudenko S.P., Savenkov S.M., Samoilov

A.V., Serdeha B.K., Ushenin Yu.V., Shyrshov Yu.M. Fizychni osnovy poliarymetrii vysokoi

informatyvnoi zdatnosti. Kyiv: Politekhnika, 2013. 249 s

49. Litovchenko V.G., Gorbanyuk T.I. Mechanism of influence of aminoacid adsorption on

photoluminescence of nanoporous silicon. In: Nanotechnology in the Security Systems. Eds J. Bonča, S.

Kruchinin. Dordrecht: Springer Science+Business Media. 2015. P. 257-266.

50. Litovchenko V.G., Gorbanyuk T.I., Solntsev V.S. Mechanism of adsorption-catalyticactivity at the

nanostructured surfaceof silicon doped with clustersof transition metals and their oxides. Ukr. J. Phys.

2017. 62, № 7. S. 605-614. https://doi.org/10.15407/ujpe62.07.0605.

https://doi.org/10.15407/ujpe62.07.0605

51. Riabchenko O.V., Kukla O.L., Fedchenko O.N., Shirshov Yu.M., Z.I. Kazantseva Z.I. SPR chromatic

sensor with colorimetric registration for detection of gas molecules. Semiconductor Physics, Quantum

Electronics and Optoelectronics. 2023. 26, № 3. P. 341-349. https://doi.org/10.15407/spqeo26.03.341.

52. Mizetskaya I.B., Budennaya L.D., Oleynik N.D. Fiziko-khimicheskiye osnovy sinteza

poluprovodnikovykh monokristallov. Kiyev: Nauk. dumka. 1976. 76 s.

53. Mizetskaya I.B., Oleynik G.S., Budennaya L.D., Tomashik V.N., Oleynik N.D. Fiziko-khimicheskiye

osnovy sinteza monokristallov poluprovodnikovykh tverdykh rastvorov soedineniy A2В6. Kiyev: Nauk.

dumka. 1986. 160 s

54. Korbutiak D.V., Melnychuk S.V., Korbut Ye.V., Borysiuk M.M. Teluryd kadmiiu. Domishkovo-defektni

stany ta detektorni vlastyvosti. Kyiv: Ivan Fedoriv, 2000. 198 s.

55. Tomashik V., Feychuk P., Shcherbak L. Ternary Alloys Based on II-VI Semiconductor Compounds.

Chernivtsi: Books - XXI, 2010. 440 p.

56. Markevich I.V., Stara T.R., Vorona I.P., Isaieva O.F., Gule Ye.G., Melnichuk O.V., Khomenkova L.Yu.

Role of ZnMn2O4 phase in formation of varistor characteristics in ZnO:Mn ceramics. Semiconductor

Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. 2023. 26, № 3. P. 253-257.

https://doi.org/10.15407/spqeo26.03.253.

57. Evtukh A., Hartnagel H., Yilmazoglu O., Mimura H., Pavlidis D. Vacuum Nanoelectronic Devices.

Novel Electron Sources and Applications. London: John Wiley & Sons, Inc. 2015. 495 p.

58. Kulish M.R., Kostylyov V.P., Sachenko A.V., Sokolovskyi I.O., Shkrebtii A.I. Photoconverter with

luminescent concentrator. Matrix material. Semicond. Phys. Quantum Electron. Optoelectron. 2019. 22,

№ 1. P. 80-87. https://doi.org/10.15407/spqeo22.01.080.

https://doi.org/10.15407/spqeo22.01.080

59. Korotyeyev V.V., Kochelap V.O., Sapon S.V., Romaniuk B.M., Melnik V.P., Dubikovskyi O.V., Sabov

T.M. Be-ion implanted p-n InSb diode for infrared applications. Modeling, fabrication and

characterization. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. 2019. 22, № 1. P.

294-306. https://doi.org/10.15407/spqeo21.03.294.

https://doi.org/10.15407/spqeo21.03.294

60. Lytovchenko V., Strikha M. Soniachna enerhetyka. Poriadok dennyi dlia svitu y Ukrainy. Kyiv: K.I.S,

2014. 40 s.

61. Poperenko L.V., Stashchuk V.S., Shaikevych S.A. Voitsenia V.S., Kudriavtsev Yu.V., Sterlihov V.A.,

Stronskyi O.V., Tymchyk H.S., Kolobrodov V.H. Pretsyziini prystroi i prylady optotekhniky. Kyiv:

Kyivskyi universytet, 2016. 720 s.

62. Dmitruk N.L., Mamikin S.V. Surface-enhanced photoemission in Schottky diodes with microrelief

interfaces. J. Vac. Sci. Technol. B. 2000. 18, № 5. P. 2411-2414. https://doi.org/10.1116/1.1308595

https://doi.org/10.1116/1.1308595

63. MalyutenkoV.K., Bogatyrenko V.V. High-temperature Si linear light down converter with 220%

efficiency. Phys. Rev. B. 2007. 76. P. 113201. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.76.113201.

https://doi.org/10.1103/PhysRevB.76.113201

64. Tyagay V.A., Snitko O.V. Elektrootrazheniye sveta v poluprovodnikakh. Kiyev: Nauk. dumka. 1980. 304s.

65. Baranskyi P.I., Bieliaiev O.Ie., Haidar H.P., Kladko V.P., Kuchuk A.V. Problemy diahnostyky realnykh

napivprovidnykovykh krystaliv. Kyiv: Nauk. dumka, 2014. 463 s.

66. Sachenko A.V., Kostylyov V.P., Korkishko R.M., Vlasiuk V.M., Sokolovskyi I.O., Dvernikov B.F.,

Chernenko V.V., Evstigneev M.A. Simulation and characterization of planar high-efficiency back contact

silicon solar cells. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. 2021. 24, № 3. P.

319-327. https://doi.org/10.15407/spqeo24.03.319.

https://doi.org/10.15407/spqeo24.03.319

П.С. Смертенко

Вадим Євгенович Лашкарьов: багатогранний талант науковця і особистість

7 жовтня 2023 року наукова спільнота відзначила 120-річчя від дня народження Вадима

Євгеновича Лашкарьова, фізика, першовідкривача p-n переходу, педагога, організатора науки і просто

розумної та порядної людини (07.10.2003 – 01.12.1974). На нашу думку, значення і вплив В.Є.

Лашкарьова на подальший розвиток фізики, зокрема, фізики напівпровідників в Україні, розкрито

недостатньо, хоча за останні десятиліття опубліковано низку статей, присвячених життєдіяльності та

науковій праці Вадима Євгеновича. Дана стаття має за мету подивитись на наукову творчість Вадима

Євгеновича у світлі наукової галузі – оптоелектроніки. Зокрема, показано деякі нові аспекти життя та

творчості академіка АН УРСР Вадима Євгеновича Лашкарьова, які випливають з документів, підписаних

особисто ним. Попри удари долі: заслання та Друга світова війна, Вадим Євгенович зберіг наукову

наснагу, далекоглядне бачення розвитку нової наукової галузі – фізики напівпровідників. Детально

проаналізовано напрямки наукової школи фізики напівпровідників, яка носить ім’я В.Є. Лашкарьова:

дослідження генераційно-рекомбінаційних процесів та електронного транспорту у напівпровідниках і

напівпровідникових структурах; теоретичні та експериментальні дослідження поверхневих явищ у

напівпровідниках; теоретичні та експериментальні дослідження електронного перенесення двовимірних

вільних носіїв заряду в напівпровідникових наноструктурах; дослідження електрофізичних і

фотоелектричних ефектів в напівпровідниках та шаруватих структурах на їхній основі; поверхнево-

бар’єрні структури з включеннями нанокристалічних напівпровідників і використання таких ефектів для

сенсорики; вплив адсорбції газів на поверхневу провідність та контактну різницю потенціалів;

розроблення методик вирощування монокристалічних зразків сполук А2В6, зокрема, халькогенідів

цинку та кадмію і твердих розчинів на їхній основі; напівпровідникові прилади, зокрема, для

випрямлення змінного струму; фотоелектричні детектори; розроблення фізичних моделей та

модернізація методів дослідження параметрів глибоких центрів зі складною енергетичною будовою.

Надано деякі приклади монографій та статей учнів і послідовників наукової школи В.Є. Лашкарьова, які

розвинули початкові наукові галузі та осучаснили фізику напівпровідників.

Ключові слова: p-n перехід, В.Є. Лашкарьов, фізика напівпровідників, оптоелектроніка, наукова

школа В.Є. Лашкарьова, Інститут напівпровідників АН УРСР.

Back / Повернутися