https://doi.org/10.15407/iopt.2023.58.005
Optoelectron. Semicond. Tech. 58, 5-15 (2023)
P.S. Smertenko
Vadim Evgenievich Lashkarev and optoelectronics
On 7 October 2023, the scientific community celebrated the 120th anniversary of the birth of
Vadym Yevhenovych Lashkariov, a physicist, discoverer of the p-n junction, teacher, organiser of science, and
simply a smart and decent person (07.10.2003 - 01.12.1974). In our opinion, the significance and influence of
V.E. Lashkarev on the further development of physics, in particular semiconductor physics in Ukraine, has not
been sufficiently revealed, although a number of articles have been published over the past decades on the life
and scientific work of Vadym Yevhenovych. This article aims to look at the scientific work of Vadym
Yevhenovych in the light of the newly emerging field of optoelectronics. The article shows some new aspects of
the life and work of Academician of the National Academy of Sciences of Ukraine Vadym Yevhenovych
Lashkariov, which are based on documents signed by him personally. Despite the blows of fate: exile and the
Second World War, Vadym Yevhenovych retained his scientific inspiration and a far-sighted vision of the
development of a new scientific field - semiconductor physics. The directions of the V. Lashkarev scientific
school of semiconductor physics are analysed in details: studies of generation-recombination processes and
electronic transport in semiconductors and semiconductor structures; theoretical and experimental studies of
surface phenomena in semiconductors; theoretical and experimental studies of electronic transfer of two-
dimensional free charge carriers in semiconductor nanostructures; studies of electrophysical and photoelectric
effects in semiconductors and layered structures. Some examples of monographs and articles by students and
followers of the V. Lashkarev scientific school, who developed the initial scientific fields and modernised the
physics of semiconductors, are given.
Keywords: p-n junction; V. Lashkarev; semiconductor physics; optoelectronics; V. Lashkarev
scientific school; Institute of Semiconductors of the UkrSSR Academy of Sciences.
References
1. Lytovchenko V. H. Moi naukovi kontakty z V.Ie.Lashkarovym. UFZh. 2014. 59, № 8.
2. Lytovchenko V.H. Moi naukovi kontakty z V.Ie. Lashkarovym - pershovidkryvachem р-n -perekhodu.
Fizyka i khimiia tverdoho tila. 2014. 15, № 3. S. 449-456.
3. Lytovchenko V.H. Akademik NAN Ukrainy Vadym Yevhenovych Lashkarov - vydatnyi fizyk XX
stolittia, pershovidkryvach р-n-perekhodu. UFZh. 2016. 16, № 2. S. 187-190.
https://doi.org/10.1215/15314200-3159183
https://doi.org/10.15407/ujpe61.02.0181.
4. Khramov Yu.O. Istorychna fizyka Ukrainy. Providni fizychni shkoly Ukrainy. Shkola Lashkarova. NAN
Ukrainy, DU «Instytut doslidzh. nauk.-tekhn. potentsialu ta istorii nauky im. H.M. Dobrova NAN
Ukrainy». K. Feniks. 2020. S. 473-479.
5. Strikha V.I. Vadym Yevhenovych Lashkarov - patriarkh fizyky napivprovidnykiv. V kn.: Vitalii
Ilarionovych Strikha (1931-1999). AN vyshchoi shkoly Ukrainy. Seriia «Vyznachni vcheni». Uporiadnyk
ta redaktor M.V.Strikha. Vyd. druhe, dopovnene. Kyiv. Dukh i Litera. 2021. S. 106-107.
6. Solntsev V.S., Smertenko P.S. Naukovyi vnesok Vadyma Yevhenovycha Lashkarova u rozvytok fizyky i
tekhniky napivprovidnykiv (do 120-richchia vid dnia narodzhennia). Nauka ta naukoznavstvo. 2023. 3, №
121. S. 166-185. https://doi.org/10.15407/sofs2023.03.166.
https://doi.org/10.15407/sofs2023.03.166
7. Lashkarev V.E. Issledovaniye zapirayushchikh sloev metodom termozonda. Izv. AN SSSR. Ser. fiz. T.
1941. 5. № 4-5. S. 442-446.
8. Lashkarev V.E. Poluprovodniki. Tekhnika molodezhi. 1950.№ 1. S. 4-6.
9. Instytut fizyky napivprovidnykiv im. V.Ie. Lashkarova NAN Ukrainy 1960-2020. Red. Bieliaiev O.Ie.,
Kladko V.P., Smertenko P.S., Solntsev V.S., Kinko T.A., Kyiak Yu.P. K.: Akademperiodyka. 2020.
10. Malynovskyi B.M. Vidome ta nevidome v istorii informatsiinykh tekhnolohii. Visnyk NAN Ukrainy.
2001. № 1. S. 40-54.
11. Laschkarew W. Ableitung des Fresnelschen Mitfhrungskoeffizienten aus der Lichtquantentheorie.
Zeitschrift fьr Physik. 1927. 44. Is. 4-5. P. 359-360. https://doi.org/10.1007/BF01391202.
https://doi.org/10.1007/BF01391202
12. Laschkarew W. Zur Theorie der Bewegung von Materie und Lichtim Gravitationsfelde. Zeitschrift fьr
Physik. 1927. 44. Is. 4-5. P. 361-368. https:// doi.org/10.1007/BF01391203.
https://doi.org/10.1007/BF01391203
13. Linnik W., Laschkarew W. Die Bestimmung des Brechungsindex der Rtsntgenstrahlenaus der
Erscheinung der Totalreflexion. Zeitschrift fьr Physik. 1926. 38. Is. 9-10. P. 659-671.
https://doi.org/10.1007/BF01397358
14. Linnyk V.P., Lashkarov V.Ie. Znakhodzhennia pokaznyka zalomlennia renthenivskykh promeniv z
yavyshch tsilkovytoho seredovoho vidbyttia. Ukr. Fiz. Zap. 1927. 1. Zshytok 2. S. 3-11.
15. Lashkarov V.Ie. Do teorii rukhu materii ta svitla v hravitatsiinomu poli. Ukr. Fiz. Zap. 1927. 1. Zshytok
2. S. 12-21.
16. Svechnikov S.V. Svoystva monokristallicheskikh fotosoprotivleniy iz sernistogo kadmiya pri
vozbuzhdenii rentgenovskimi luchami. ZhTF. 1952. 22. vyp. 8. S. 1305-1314.
17. Kaganovich E.B., Svechnikov S.V., Tkhorik Yu.A. Polucheniye sublimirovannykh sloev CdS i CdSe dlya
tseley poluprovodnikovoy elektroniki. Poluprovodnikovaya tekhnika i mikroelektronika. 1966. Vyp. 1. C.
33-38.
18. Instytut fizyky napivprovidnykiv im. V.Ie. Lashkarova NAN Ukrainy. 50 rokiv (1960-2010 rr.). Za red.
V.F. Machulina. Kyiv: Intertekhnodruk, 2010. 450 s
19. Khramov Yu.A. Istoriya fiziki. 2006.Kiyev: Feniks. 1176 s.
20. Khramov Yu.O. Solomon Isakovych Pekar i yoho naukova shkola (do 100-richchia vid dnia
narodzhennia). Nauka ta naukoznavstvo. 2017. № 4. S. 107-121.
https://doi.org/10.15407/sofs2017.04.107
21. Boyko I.I., Zhadko I.P., Rashba E.I., Romanov V.A. Vozniknoveniye neravnovesnykh nositeley pri
prokhozhdenii toka cherez uprugo-deformirovannyy germaniy. FTT. 1965. 7. S. 2239-2242.
22. Sachenko A.V., Zuev V.A., Tolpygo K.B. Neravnovesnye protsessy v poluprovodnikakh i
poluprovodnikovykh priborakh. Moskva: Sov. Radio. 1977. 256 s.
23. Gorodetskiy I.Ya., Zyuganov A.N., Smertenko P.S., Chistyakova N.Ya., Sheynkman M.K. Volt-
ampernye kharakteristiki i elektrolyuminestsentsiya monokristallov PbO. UFZh. 1979. 24. № 9. S.
1264-1271.
24. Korsunska N.O., Markevych I.V., Borkovska L.V., Khomenkova L.Iu., Venher Ye.F., Melnychuk L.Iu.,
Melnychuk O.V. Strukturni, optychni ta elektron-fononni vlastyvosti lehovanykh shyrokozonnykh
oksydiv. Nizhyn: NDU im. M. Hoholia, 2018. 160 c
25. Baranskyi P.I., Bieliaiev O.Ie., Haidar H.P. Kinetychni efekty v bahatodolynnykh napivprovidnykakh.
Kyiv. 2019. 448 s.
26. Nazarov A.N., Pinchuk V.M., Yanchuk T.V., Lysenko V.S., Ashok S. Enhanced activation of implanted
dopant impurity in hydrogenated crystalline silicon. Phys. Rev. B. 1998. 58, № 7. P. 3522-3525.
https://doi.org/10.1103/PhysRevB.58.3522
27. Lyashenko V.I., Litovchenko V.G., Stepko I.I. i dr. Elektronnye yavleniya na poverkhnosti
poluprovodnikov. Kiyev: Nauk. dumka. 1968. 400 s.
28. Litovchenko V. G., Snitko O. V. Poverkhnostnye svoystva kremniya. Fizika tverdogo tela. 1960. 2. № 4.
S. 591-604.
29. Gorkun Yu.I., Lysenko V.S., Litovchenko V.G., Novominskii V.A. Anisotropy of Surface Electronic
Mobility in Germanium. Phys. St. Sol. (a). 1970. 3, № 4. P. K281-284.
https://doi.org/10.1002/pssa.19700030438
30. Litvinov R.O. Vliyaniye poverkhnosti na kharakteristiki poluprovodnikovykh priborov. Kiyev: Nauk.
dumka. 1972. 116 s.
31. Litovchenko V.G., Gorban A.P. Osnovy fiziki mikroelektronnykh sistem
metall-dielektrik-poluprovodnik. Kiyev: Nauk. dumka. 1978. 316 s.
32. Snitko O.V. Problemy fiziki poverkhnosti poluprovodnikov. Kiyev: Nauk. dumka. 1981. 332 s.
33. Dobrovolsky V.N., Litovchenko V.G. Surface Electronic Transport Phenomena in Semiconduсtors
Surface. Oxford: Clarendon Press, 1991. 220 p.
34. Dmitruk N.L., Korovin A.V. Electromagnetic wave efraction on the interface of absorptive and
transparent isotropic media and non-resonant excitation of surface waves. Optics Communications. 2011.
284. P. 4254-4258. https://doi.org/10.1016/j.optcom.2011.05.051.
https://doi.org/10.1016/j.optcom.2011.05.051
35. Litovchenko V.G. Osnovy fiziki poluprovodnikovykh sloistykh sistem. Kiyev: Nauk. dumka. 1980. 284s.
36. Litovchenko V.G., Korbutyak D.V. Observation of the surface quasi-two-dimensional electro-hole
condensate. Surface Science. 1981. 104, № 1. P. 189-193. https://doi.org/10.1016/0167-2584(81)90175-4.
https://doi.org/10.1016/0167-2584(81)90175-4
37. Nesterenko B.A., Snitko O.V. Fizicheskiye svoystva atomarno-chistoy poverkhnosti poluprovodnikov.
Kiyev: Nauk. dumka. 1983. 264 s.
38. Venher Ye.F., Honcharenko A.V., Dmytruk M.L. Optyka malykh chastynok i dyspersnykh seredovyshch.
Kyiv: Nauk. dumka, 1999. 348 s.
39. Korbutyak D.V., Lytovchenko V.G., Strikha M.V. 2D semiconductor structures as a basis for new high-
tech devices (Review). Semicond. Phys. Quantum Electron. Optoelectron. 2018. 21, № 4. P. 380-386.
https://doi.org/10.15407/spqeo21.04.380
40. Sukach G.A., Smertenko P.S., Oleksenko P.F., Nakamura Sh. Analysis of the Active Region of
Overheating Temperature in Green LEDs Based on Group III Nitrides. Tech. Phys. 2001. 46. P. 438-441.
https://doi.org/10.1134/1.1365468
41. Sachenko A.V., Snitko O.V. Fotoeffekty v pripoverkhnostnykh sloyakh poluprovodnikov. Kiyev: Nauk.
dumka. 1984. 232 s.
42. Salkov E.A. Osnovy poluprovodnikovoy fotoelektroniki. Kiyev: Nauk. dumka. 1988. 280 s.
43. Bolgov S.S., Malyitenko V.K., Peshko I.I., Soskin M.S., Khyzniak A.I. Detection of the ultrashort laser
pulses by the transverse sweep-out InSb detector. Infrared Physics. 1975. 15, № 1. P. 65-66.
https://doi.org/10.1016/0020-0891(75)90011-1
44. Dmitruk N.L., Goncharenko A.V., Venger E.F. Optics of small particles and composite media. Kyiv,
2009. 386 s.
45. Torchynska T.V., Shcherbyna. L.V. SiC nanocrystal structures. In: Nanocrystals and quantum dots of
group IV semiconductors. Eds T.V. Torchynska, Yu. Vorobiev. Mexico: Mexico D.F. National
Polytechnic Institute; USA, California: American Scientific Publishers. 2010. P. 116-148.
46. Lepikh Ya.I., Hordiienko Yu.O., Dziadevych S.V., Druzhynin A.O., Yevtukh A.A., Lienkov S.V.,
Melnyk V.H., Romanov V.O. Stvorennia mikroelektronnykh datchykiv novoho pokolinnia dlia
intelektualnykh system. Odesa: Astroprynt, 2010. 289 s.
47. Nazarov A., Sun J.M., Osiyuk I.N., Tjagulskuu I.P., Lysenko V.S., Skorupa W., Yankov R.A., Gebel T.
Light emission and charge trapping in erbium doped silicon dioxide films containing silicon nanocrystals.
Appl. Phys. Lett. 2005. 86. P. 151914-1.
48. Beketov H.V., Klymov O.S., Matiash I.Ie., Oberemok Ye.A., Rudenko S.P., Savenkov S.M., Samoilov
A.V., Serdeha B.K., Ushenin Yu.V., Shyrshov Yu.M. Fizychni osnovy poliarymetrii vysokoi
informatyvnoi zdatnosti. Kyiv: Politekhnika, 2013. 249 s
49. Litovchenko V.G., Gorbanyuk T.I. Mechanism of influence of aminoacid adsorption on
photoluminescence of nanoporous silicon. In: Nanotechnology in the Security Systems. Eds J. Bonča, S.
Kruchinin. Dordrecht: Springer Science+Business Media. 2015. P. 257-266.
50. Litovchenko V.G., Gorbanyuk T.I., Solntsev V.S. Mechanism of adsorption-catalyticactivity at the
nanostructured surfaceof silicon doped with clustersof transition metals and their oxides. Ukr. J. Phys.
2017. 62, № 7. S. 605-614. https://doi.org/10.15407/ujpe62.07.0605.
https://doi.org/10.15407/ujpe62.07.0605
51. Riabchenko O.V., Kukla O.L., Fedchenko O.N., Shirshov Yu.M., Z.I. Kazantseva Z.I. SPR chromatic
sensor with colorimetric registration for detection of gas molecules. Semiconductor Physics, Quantum
Electronics and Optoelectronics. 2023. 26, № 3. P. 341-349. https://doi.org/10.15407/spqeo26.03.341.
52. Mizetskaya I.B., Budennaya L.D., Oleynik N.D. Fiziko-khimicheskiye osnovy sinteza
poluprovodnikovykh monokristallov. Kiyev: Nauk. dumka. 1976. 76 s.
53. Mizetskaya I.B., Oleynik G.S., Budennaya L.D., Tomashik V.N., Oleynik N.D. Fiziko-khimicheskiye
osnovy sinteza monokristallov poluprovodnikovykh tverdykh rastvorov soedineniy A2В6. Kiyev: Nauk.
dumka. 1986. 160 s
54. Korbutiak D.V., Melnychuk S.V., Korbut Ye.V., Borysiuk M.M. Teluryd kadmiiu. Domishkovo-defektni
stany ta detektorni vlastyvosti. Kyiv: Ivan Fedoriv, 2000. 198 s.
55. Tomashik V., Feychuk P., Shcherbak L. Ternary Alloys Based on II-VI Semiconductor Compounds.
Chernivtsi: Books - XXI, 2010. 440 p.
56. Markevich I.V., Stara T.R., Vorona I.P., Isaieva O.F., Gule Ye.G., Melnichuk O.V., Khomenkova L.Yu.
Role of ZnMn2O4 phase in formation of varistor characteristics in ZnO:Mn ceramics. Semiconductor
Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. 2023. 26, № 3. P. 253-257.
https://doi.org/10.15407/spqeo26.03.253.
57. Evtukh A., Hartnagel H., Yilmazoglu O., Mimura H., Pavlidis D. Vacuum Nanoelectronic Devices.
Novel Electron Sources and Applications. London: John Wiley & Sons, Inc. 2015. 495 p.
58. Kulish M.R., Kostylyov V.P., Sachenko A.V., Sokolovskyi I.O., Shkrebtii A.I. Photoconverter with
luminescent concentrator. Matrix material. Semicond. Phys. Quantum Electron. Optoelectron. 2019. 22,
№ 1. P. 80-87. https://doi.org/10.15407/spqeo22.01.080.
https://doi.org/10.15407/spqeo22.01.080
59. Korotyeyev V.V., Kochelap V.O., Sapon S.V., Romaniuk B.M., Melnik V.P., Dubikovskyi O.V., Sabov
T.M. Be-ion implanted p-n InSb diode for infrared applications. Modeling, fabrication and
characterization. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. 2019. 22, № 1. P.
294-306. https://doi.org/10.15407/spqeo21.03.294.
https://doi.org/10.15407/spqeo21.03.294
60. Lytovchenko V., Strikha M. Soniachna enerhetyka. Poriadok dennyi dlia svitu y Ukrainy. Kyiv: K.I.S,
2014. 40 s.
61. Poperenko L.V., Stashchuk V.S., Shaikevych S.A. Voitsenia V.S., Kudriavtsev Yu.V., Sterlihov V.A.,
Stronskyi O.V., Tymchyk H.S., Kolobrodov V.H. Pretsyziini prystroi i prylady optotekhniky. Kyiv:
Kyivskyi universytet, 2016. 720 s.
62. Dmitruk N.L., Mamikin S.V. Surface-enhanced photoemission in Schottky diodes with microrelief
interfaces. J. Vac. Sci. Technol. B. 2000. 18, № 5. P. 2411-2414. https://doi.org/10.1116/1.1308595
https://doi.org/10.1116/1.1308595
63. MalyutenkoV.K., Bogatyrenko V.V. High-temperature Si linear light down converter with 220%
efficiency. Phys. Rev. B. 2007. 76. P. 113201. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.76.113201.
https://doi.org/10.1103/PhysRevB.76.113201
64. Tyagay V.A., Snitko O.V. Elektrootrazheniye sveta v poluprovodnikakh. Kiyev: Nauk. dumka. 1980. 304s.
65. Baranskyi P.I., Bieliaiev O.Ie., Haidar H.P., Kladko V.P., Kuchuk A.V. Problemy diahnostyky realnykh
napivprovidnykovykh krystaliv. Kyiv: Nauk. dumka, 2014. 463 s.
66. Sachenko A.V., Kostylyov V.P., Korkishko R.M., Vlasiuk V.M., Sokolovskyi I.O., Dvernikov B.F.,
Chernenko V.V., Evstigneev M.A. Simulation and characterization of planar high-efficiency back contact
silicon solar cells. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. 2021. 24, № 3. P.
319-327. https://doi.org/10.15407/spqeo24.03.319.
П.С. Смертенко
Вадим Євгенович Лашкарьов: багатогранний талант науковця і особистість
7 жовтня 2023 року наукова спільнота відзначила 120-річчя від дня народження Вадима
Євгеновича Лашкарьова, фізика, першовідкривача p-n переходу, педагога, організатора науки і просто
розумної та порядної людини (07.10.2003 – 01.12.1974). На нашу думку, значення і вплив В.Є.
Лашкарьова на подальший розвиток фізики, зокрема, фізики напівпровідників в Україні, розкрито
недостатньо, хоча за останні десятиліття опубліковано низку статей, присвячених життєдіяльності та
науковій праці Вадима Євгеновича. Дана стаття має за мету подивитись на наукову творчість Вадима
Євгеновича у світлі наукової галузі – оптоелектроніки. Зокрема, показано деякі нові аспекти життя та
творчості академіка АН УРСР Вадима Євгеновича Лашкарьова, які випливають з документів, підписаних
особисто ним. Попри удари долі: заслання та Друга світова війна, Вадим Євгенович зберіг наукову
наснагу, далекоглядне бачення розвитку нової наукової галузі – фізики напівпровідників. Детально
проаналізовано напрямки наукової школи фізики напівпровідників, яка носить ім’я В.Є. Лашкарьова:
дослідження генераційно-рекомбінаційних процесів та електронного транспорту у напівпровідниках і
напівпровідникових структурах; теоретичні та експериментальні дослідження поверхневих явищ у
напівпровідниках; теоретичні та експериментальні дослідження електронного перенесення двовимірних
вільних носіїв заряду в напівпровідникових наноструктурах; дослідження електрофізичних і
фотоелектричних ефектів в напівпровідниках та шаруватих структурах на їхній основі; поверхнево-
бар’єрні структури з включеннями нанокристалічних напівпровідників і використання таких ефектів для
сенсорики; вплив адсорбції газів на поверхневу провідність та контактну різницю потенціалів;
розроблення методик вирощування монокристалічних зразків сполук А2В6, зокрема, халькогенідів
цинку та кадмію і твердих розчинів на їхній основі; напівпровідникові прилади, зокрема, для
випрямлення змінного струму; фотоелектричні детектори; розроблення фізичних моделей та
модернізація методів дослідження параметрів глибоких центрів зі складною енергетичною будовою.
Надано деякі приклади монографій та статей учнів і послідовників наукової школи В.Є. Лашкарьова, які
розвинули початкові наукові галузі та осучаснили фізику напівпровідників.
Ключові слова: p-n перехід, В.Є. Лашкарьов, фізика напівпровідників, оптоелектроніка, наукова
школа В.Є. Лашкарьова, Інститут напівпровідників АН УРСР.