https://doi.org/10.15407/jopt.2016.51.128
Optoelectron. Semicond. Tech. 51, 128-134 (2016)
P.I. Baranskii, G.P. Gaidar
MAGNETOTENSO- AND TENSOMAGNETORESISTANCE OF n-Ge
In n-Ge crystals at 77 K in the conditions X r || J r || H r ||[111], the longitudinal magnetotensoresistance depending on the value of magnetic field H has been investigated for different values of uniaxial stress caused by mechanical compression X, as well as the longitudinal tensomagnetoresistance depending on X has been studied at different values of H. Proposed has been the practically important method for determining the tensomagnetoresistance in conditions of extremely high H and X by using measurements of only tensoresistance (i.e., at Н = 0) in a wide range of X.
Keywords: germanium, magnetotensoresistance, tensomagnetoresistance, anisotropy parameter of mobility.
References
1. Gajdar G.P., Baranskij P.I., Kolomoyec V.V. Tenzoopir bagatodolinnih napivprovidnikiv n-Si ta n-Ge v shirokomu intervali koncentracij. Fizika i himiya tverdogo tila. 2014. 15, № 1. S. 58-62. (in Ukrainian)
2. Budzulyak S.I. Tenzorezistivni efekti v silno deformovanih kristalah n-Si ta n-Ge. Fizika i himiya tverdogo tila. 2012. 13, № 1. S. 34-39. (in Ukrainian)
3. Smith Ch.S. Piezoresistance effect in germanium and silicon. Phys. Rev. 1954. 94, No. 1. Р. 42-49.
https://doi.org/10.1103/PhysRev.94.42
4. Herring C. Transport properties of a many-valley semiconductor. Bell System Tech. J. 1955. 34, No. 2. P. 237-290.
https://doi.org/10.1002/j.1538-7305.1955.tb01472.x
5. Baranskii P.I., Buda I.S., Dakhovskii I.V., Kolomoets V.V. Piezoresistance and magnetopiezoresistance of n-Ge in the [110] direction. phys. status solidi (b). 1971. 46, No. 2. P. 791-796.
https://doi.org/10.1002/pssb.2220460240
6. Cuevas M., Fritzsche H. High stress piezoresistance and mobility in degenerate Sb doped germanium. Phys. Rev. 1965. 137, No. 6A. P. A1847-A1855.
https://doi.org/10.1103/PhysRev.137.A1847
7. Baranskij P.I., Fedosov A.V., Gajdar G.P. Neodnoridnosti napivprovidnikiv i aktualni zadachi mizhdefektnoyi vzayemodiyi v radiacijnij fizici i nanotehnologiyi. Monografiya. Kiyiv-Luck: RVV LDTU, 2007. (in Ukrainian)
8. Gajdar G.P. Tenzosoprotivlenie kak istochnik informacii o parametre anizotropii podvizhnosti K = m⊥ / m || v mnogodolinnyh poluprovodnikah i nekotorye novye vozmozhnosti deformacionnoj metrologii. Elektronnaya obrabotka materialov. 2015. 51, № 2. S. 85-92. (in Russian)
9. Baranskij P.I., Fedosov A.V., Gajdar G.P. Fizichni vlastivosti kristaliv kremniyu ta germaniyu v polyah efektivnogo zovnishnogo vplivu. Luck: Nadstir'ya, 2000. (in Ukrainian)
10. Baranskij P.I., Klochkov V.P., Potykevich I.V. Poluprovodnikovaya elektronika. Spravochnik. Kiyiv: Naukova dumka, 1975. (in Russian)
11. Baranskij P.I., Buda I.S., Dahovskij I.V., Kolomoec V.V. Elektricheskie i galvanomagnitnye yavleniya v anizotropnyh poluprovodnikah. Kiyiv: Naukova dumka, 1977. (in Russian)
П.І. Баранський, Г.П. Гайдар1
МАГНІТОТЕНЗО- І ТЕНЗОМАГНІТООПІР n-Ge
У кристалах n-Ge при 77 K в умовах X r || J r || H r || [111] досліджено поздовжній магнітотензоопір у залежності від величини напруженості магнітного поля Н при різних значеннях механічного напруження одновісного стиску Х, а також поздовжній тензомагнітоопір у залежності від Х при різних значеннях Н. Запропоновано важливий для практики метод визначення тензомагнітоопору в умовах гранично великих Н і Х за вимірюваннями лише тензоопору (тобто при Н = 0) в широкому інтервалі Х.
Ключові слова: германій, магнітотензоопір, тензомагнітоопір, параметр анізотропії рухливості.