https://doi.org/10.15407/iopt.2021.56.097

Optoelectron. Semicond. Tech. 56, 97-107 (2021)

M. S. Zayats, V. G. Boyko, B. M. Romanyuk, P. M. Lytvyn


LOW-TEMPERATURE ION-PLASMA DEPOSITION TECHNOLOGY OF NANOSTRUCTURED FILMS OF ALUMINUM AND BORON NITRIDES

A low-temperature (substrate heating temperature up to 400 °C) ion-plasma technology for the formation of nanostructured AlN and BN films by the method of high-frequency reactive magnetron sputtering of the corresponding targets has been developed (the modernized installation "Cathode-1M"), which has in its technological cycle the means of physical and chemical modification, which allow to purposefully control the phase composition, surface morphology, size and texture of nanocrystalline films.

The possibility of using the method of high-frequency magnetron sputtering for deposition of transparent hexagonal BN films in the nanoscale state on quartz and silicon substrates is shown.

Atomic force microscopy (AFM) has shown that AlN films can have an amorphous or polycrystalline surface with grain sizes of approximately 20-100 nm, with the height of the nanoparticles varying from 3 to 10 nm and the degree of surface roughness from 1 to 10 nm. It was found that the dielectric penetration of polycrystalline AlN films decreases from 10 to 3.5 at increased frequencies from 25 Hz to 1 MHz, and the peak tangent of the dielectric loss angle reaches 0.2 at 10 kHz. Such features indicate the existence of spontaneous polarization of dipoles in the obtained AlN films. Interest in dielectric properties in AlN / Si structures it is also due to the fact that there are point defects, such as nitrogen vacancies and silicon atoms, which diffuse from the silicon substrate during synthesis and play an important role in the dielectric properties of AlN during the formation of dipoles.

The technology makes it possible, in a single technological cycle, to produce multilayer structures modified for specific functional tasks with specified characteristics necessary for the manufacture of modern electronics, optoelectronics and sensorics devices. It should also be noted that the technology of magnetron sputtering (installation "Cathode-1M") is highly productive, energetically efficient and environmentally friendly in comparison with other known technologies for creating semiconductor structures and allows them to be obtained with minimal changes in the technological cycle.

Keywords: high-frequency reactive magnetron sputtering, installation "Cathode-1M", films of aluminum nitride and boron nitride, structural, morphological, optical and electrophysical properties of hexagonal AlN and BN films.

References

1. Yu.G. Shreter, Yu.T. Rebane, V.A. Zykov i dr. Shirokozonnye poluprovodniki. Sankt-Peterburg: Nauka. 2001.125 s.

2. Lebedev A.A., Chelnokov V.E. Shirokozonnye poluprovodniki dlya silovoj elektroniki. FTP. 1999. 33, №9. S. 1096 - 1099.

https://doi.org/10.1134/1.1187823

3. O.Ye. Byelyayev [ta insh.]. Optichni vlastivosti epitaksijnih plivok GaN, sho perebuvali pid diyeyu mikrohvilovogo oprominennya. UFZh. 2014. 59, № 1. S. 34 - 37.

https://doi.org/10.2134/csa2014-59-3-17

4. N.S. Zayac [i dr.]. Opticheskie svojstva plenok GaN/Al2O3, legirovannyh kremniem. FTP. 2009. 43, № 5. S. 617 - 620.

5. T. Herzog [et al.]. Aluminum nitride thin films for high frequency smart ultrasonic sensor systems. 18th Words Conference on Nondestructive Testing Proceedings. 2012. P. 21 - 28.

6. Stafiniak A., Muszynska D., Szyszka A. Properties of AlNx thin films prepared by DC reactive magnetron sputtering. Optica Applicata. 2009. 39, № 4. P. 717 - 722.

7. Belyanen A.F., Samoelovich M.I, Zhitkovsky V. D. Impact-resistant protective film coatings based on AlN in electronic engineering. Technol. Design Electron. Equip. 2005. 5, №1. P. 35 - 41.

8. Watanabe K., Taniguchi T., H. Kanda H. Direct-band gap properties and evidence for ultraviolet lasing of hexagonal boron nitride single crystal. Natural Materials. 2004. 3, № 6. P. 404-409.

https://doi.org/10.1038/nmat1134

9. Nose K, Oba H, Yoshida T. Electric conductivity of boron nitride thin films enhanced by in situ doping of zinc. Applied physics letters. 2006. 89, № 11.P. 112 - 124.

https://doi.org/10.1063/1.2354009

10. Ustanovka magnetronnogo raspyleniya «Katod-1M». Tehnicheskoe opisanie: DLZhM 3.270.005 TO. 1986.121s.

11. M. Kardona, P. Yu. Osnovy fiziki poluprovodnikov. M.: Fizmatlit. 2002. 560 s.

12. L.L. Sartinskaya [i dr.]. Struktura i opticheskie svojstva nanorazmernogo nitrida bora, poluchennogo v opticheskoj pechi bez katalizatorov. Nanosistemy, nanomaterialy, nanotehnologii. 2007. 6, № 4. S. 1159 - 1165.

13. Bojko V. G., Zayac M. S., Klyuj M. I. Plivki nitridu boru: tehnologiya otrimannya ta optichni vlastivosti. II Mizhnarodna naukovo-praktichna konferenciya «Napivprovidnikovi materiali, informacijni tehnologiyi ta fotovoltayika» (21 24 travnya 2013, m. Kremenchuk): Tezi dop., Kremenchuk,2013. S. 54−55.

14. S.G. Gatilova [i dr.] Kolebatelnye spektry raznyh strukturnyh modifikacij nitrida. Dokl. AN USSR, Ser. A. 1974. №10. S. 941- 945.

15. W. J. Zhang [et al.]. Nucleation, growth and characterization of cubic boron nitride (c-BN) films. J. Phys. D: Appl. Phys. 2007. 40, № 20. P. 6159 - 6174.

https://doi.org/10.1088/0022-3727/40/20/S03

16. M. Schubert [et al.]. Infrared optical properties of mixed-phase thin films studied by spectroscopic ellipsometry using boron nitride as an example. Physical Review B. 1997. 56, №20. P. 13306 - 13313.

https://doi.org/10.1103/PhysRevB.56.13306

17. M.S. Zayac [ta in.]. Morfologiya poverhni ta optichni vlastivosti plivok AlN/n-Si (100). Fizika i himiya tverdogo tila. 2008. 9, №1. C. 106 - 109.

18. M.S Zayats [et al.]. Optical properties of AlN/n-Si (111) films obtained by the method of HF-frequency reactive magnetron sputtering. Functional Material. 2010.17, № 2. P. 209 - 212.

19. V.G. Bojko [i dr.]. Otrabotka tehnologii polucheniya oksidnyh plyonok dlya razlichnyh struktur optoelektroniki na promyshlennoj ustanovke magnetronnogo tipa «Katod - 1M». OPT. Vyp.40. 2005. S. 143 - 148.

20. Boyko V. G., Zayats N. S. The application of ferroelectrics to create electroluminescent indicators of the temperature. Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2012.15, № 2. P. 162 - 165.

https://doi.org/10.15407/spqeo15.02.162

21. V. G. Boyko [et al.]. Electroрhysical properties of AlN obtained by high-frequency reactive magnetron sputtering. Physics and technology of thin films and nanosystems (ICPTTFN-XIII): XIII International Materials Conference. 16-21 May 2011, Ivano-Frankivsk. 1. P.157.

22. Z. Bi, Y. Zheng, R. Zhang et al. Dielectric properties of AlN film on Si. Journal of Materials Science: Materials in electronics. 2004.№ 15.P. 317 - 320.

https://doi.org/10.1023/B:JMSE.0000024233.82681.dc

М. С. Заяць, В. Г. Бойко, Б. М. Романюк, П. М. Литвин

НИЗЬКОТЕМПЕРАТУРНА ІОННО-ПЛАЗМОВА ТЕХНОЛОГІЯ ОСАДЖЕННЯ НАНОСТРУКТУРОВАНИХ ПЛІВОК НІТРИДУ АЛЮМІНІЮ ТА БОРУ

Розроблена низькотемпературна (температура нагріву підкладки до 400°С) іонно-плазмова технологія формування наноструктурованих плівок AlN та BN методом високочастотного реактивного магнетронного розпилення відповідних мішеней (модернізована установка «Катод-1М»), що має в своєму технологічному циклі засоби фізичної та хімічної модифікації, які дозволяють цілеспрямовано керувати фазовим складом, морфологією поверхні, розміром та текстурою нанокристалічних плівок.

Показана можливість використання методу високочастотного магнетронного розпилення для осадження на кварцових і кремнієвих підкладках прозорих плівок гексагонального BN в нанорозмірному стані.

Методом атомно-силової мікроскопії (АСМ) показано, що плівки AlN можуть мати аморфну або полікристалічну поверхню з розмірами зерен приблизно 20 – 100 нм, при цьому висота нановиступів змінюється від 3 до 10 нм, а ступінь шорсткості поверхні- від 1 до 10 нм. Встановлено, що діелектрична проникність полікристалічних плівок AlN зменшується від 10 до 3,5 при збільшенні частоти електромагнітного поля від 25 Гц до 1 МГц, пік тангенса кута діелектричних втрат досягає 0,2 при 10 кГц. Такі особливості вказують на факт існування спонтанної поляризації диполів в отриманих плівках AlN. Інтерес до діелектричних властивостей в структурах AlN / Si обумовлений ще й тим, що існують точкові дефекти, такі як вакансії азоту і атоми кремнію, які дифундують з кремнієвої підкладки при синтезі і відіграють важливу роль в діелектричних властивостях AlN при формуванні диполів.

Технологія дозволяє в єдиному технологічному циклі випускати багатошарові структури, що модифіковані під певні функціональні задачі із заданими характеристиками, необхідними для виготовлення пристроїв сучасної електроніки, оптоелектроніки та сенсорики. Слід також зауважити, що технологія магнетронного розпилення (установка «Катод-1М») є високопродуктивною, енергетично ефективною та екологічно чистою у порівнянні з іншими відомими технологіями створення напівпровідникових структур та дозволяє їх отримання з мінімальними змінами у технологічному циклі.

Ключові слова : високочастотне реактивне магнетронне розпилення, установка «Катод-1М», плівки нітриду алюмінію та нітриду бора, структурно морфологічні, оптичні та електрофізичні властивості гексагональних плівок AlN та BN.