Періодичне наукове фахове видання «Оптоелектроніка та напівпровідникова техніка» / Optoelectronics and Semiconductor Technique приймає до друку оригінальні наукові статті, короткі повідомлення, оглядові та науково-практичні матеріали, що висвітлюють актуальні питання оптоелектроніки, фізики та технології напівпровідників, фотоніки, сенсорики, електронного приладобудування, мікро- та наноелектроніки, інформаційно-вимірювальних технологій, світлодіодних і лазерних систем, функціональних матеріалів та суміжних напрямів технічних наук.
До розгляду приймаються матеріали, які не були опубліковані раніше та на момент подання не перебувають на розгляді в інших виданнях. Усі оригінальні статті проходять фахове рецензування провідними українськими та/або іноземними спеціалістами відповідного наукового напряму. Рецензування здійснюється із залученням щонайменше двох незалежних рецензентів, які оцінюють наукову новизну, актуальність, достовірність результатів, методичну коректність, відповідність тематиці видання та дотримання принципів академічної доброчесності. Редакційна колегія залишає за собою право відхилити рукопис, повернути його авторам на доопрацювання або рекомендувати до друку за результатами рецензування.
Статті публікуються українською або англійською мовами. До кожної статті подаються назва, відомості про авторів, анотація та ключові слова українською й англійською мовами відповідно до вимог видання.
Правила подання електронних копій є такими:
Електронна копія має бути подана електронною поштою.
Прийнятні текстові формати: звичайний текст (.txt), Rich Text Format (.rtf), tagged text (ASCII), MultiEdit (.txt), WordPerfect, MS Word (.rtf, .doc), PageMaker (.rtf, .pm).
Прийнятні графічні формати для рисунків: EPS, TIFF, BMP, PCX, CDR, WMF, MS Word and MS Graf, MicroCalc Origin (.opj), JPG. Рисунки, створені за допомогою програмного забезпечення для математичних і статистичних розрахунків, мають бути конвертовані в один із зазначених форматів.
Рукописи слід надсилати за адресою:
Редакційна колегія збірника “Оптоелектроніка та напівпровідникова техніка”, Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, проспект Науки, 41, 03028, Київ, Україна.
Телефон: (+38 044) 525 6373 / 6205.
Рукописи мають супроводжуватися такими документами:
Офіційним листом за підписом керівника установи, у якій виконано роботу. Це правило не поширюється на статті, подані міжнародними авторськими колективами.
Дозволом на публікацію: висновком комісії, уповноваженої дозволяти відкриту публікацію статті, лише для авторів з України та інших країн колишнього СРСР.
Угодою про передання авторських прав видавцю. Форми угоди про передання авторських прав можна отримати в редакції. Вони також доступні на зазначеній вище інтернет-сторінці.
Титульна сторінка
УДК — код Універсальної десяткової класифікації для авторів із країн колишнього СРСР. Допускається зазначення кількох кодів через кому. Якщо класифікаційні коди не вказані, їх буде визначено редакційною колегією.
Назва статті, ім’я/імена автора/авторів, ORCID автора/авторів.
Назва установи, повна адреса, номери телефону й факсу, адреси електронної пошти за наявності для кожного автора.
Анотація
Анотація обсягом не менше 1800 символів має бути подана англійською та українською мовами. Перед текстом анотації тією самою мовою слід зазначити назву статті, прізвища та ініціали всіх авторів.
Ключові слова
Кількість ключових слів не повинна перевищувати восьми словесних одиниць. В окремих випадках допускається використання дво- або трислівних термінів. Ключові слова розміщують під анотацією і подають тією самою мовою.
Текст слід друкувати через подвійний міжрядковий інтервал на білому папері формату А4 шрифтом розміром 12 пунктів. Назви статті та розділів слід набирати напівжирними великими літерами.
Формули необхідно вводити за допомогою MS Equation Editor. Статті з формулами, написаними від руки, не приймаються. Позначення слід пояснювати при першій появі в тексті.
Таблиці слід подавати на окремих сторінках у форматі відповідних текстових процесорів, зазначених вище, або в текстовому форматі з розділенням колонок крапками, комами, крапками з комою чи символами табуляції. Використання псевдографічних символів не допускається.
Список літератури
Список літератури має бути надрукований через подвійний міжрядковий інтервал; джерела нумеруються в порядку їх появи в тексті.
Формат бібліографічних посилань є таким:
Книги: автор/автори — ініціали, потім прізвища; назва книги курсивом; видавництво; місто і рік видання. Якщо посилання робиться на окремий розділ, слід зазначити назву розділу, назву книги курсивом і номери сторінок.
Приклад:
J. A. Hall, Imaging tubes, Chap. 14 in The Infrared Handbook, Eds. W. W. Wolfe, G. J. Zissis, pp. 132–176, ERIM, Ann Arbor, MI (1978).
Журнали: автор/автори — ініціали, потім прізвища; назва статті; назва журналу курсивом, для загальновідомих журналів допускається використання скорочених назв; номер тому й випуску; номери сторінок; рік видання.
Приклад:
N. Blutzer and A. S. Jensen, Current readout of infrared detectors. Opt. Eng. 26 (3), pp. 241–248 (1987).
Підписи до рисунків і таблиць слід друкувати в рукописі через подвійний міжрядковий інтервал після списку літератури. Виносок, за можливості, слід уникати.
Зображення скануватимуться для цифрового відтворення. Приймаються лише зображення високої якості. Написи та символи мають бути надруковані всередині зображення. Негативи, слайди та прозорі плівки не приймаються.
Рисунки
Кожен рисунок має бути надрукований на окремій сторінці рукопису та мати розмір не більше 160 × 200 мм. Для тексту в рисунках слід використовувати шрифт розміром 10 пунктів. Одиниці вимірювання слід зазначати після коми, а не в дужках. Усі рисунки мають бути пронумеровані в порядку їх появи в тексті, а частини рисунків позначаються як (a), (b) тощо. Розміщення номерів рисунків і підписів усередині рисунків не допускається. На зворотному боці олівцем слід написати назву статті, ім’я/імена автора/авторів і номер рисунка, а верхній бік позначити стрілкою. Фотографії слід подавати як оригінальні відбитки.
Політика відкритих даних
Редакція збірника наукових праць «Оптоелектроніка та напівпровідникова техніка» підтримує принципи відкритої науки, прозорості досліджень, відтворюваності наукових результатів і належного управління дослідницькими даними. Автори заохочуються до розміщення наборів дослідницьких даних, пов’язаних з опублікованими статтями, в інституційних, національних або міжнародних репозитаріях дослідницьких даних, які забезпечують довгострокове зберігання, відкритий доступ, стабільну ідентифікацію та цитування даних.
За можливості дослідницькі дані мають відповідати принципам FAIR: бути придатними для пошуку (Findable), доступними (Accessible), сумісними для використання в різних системах (Interoperable) та придатними для повторного використання (Reusable). До таких даних можуть належати експериментальні результати, вимірювальні масиви, спектральні, електрофізичні, оптичні, теплофізичні або розрахункові дані, програмний код, моделі, зображення, таблиці, додаткові матеріали та інші цифрові об’єкти, необхідні для перевірки, відтворення або повторного використання результатів дослідження.
Якщо набір дослідницьких даних розміщено в репозитарії та йому присвоєно цифровий ідентифікатор об’єкта DOI, автори повинні зазначити DOI такого набору даних у метаданих статті, у розділі «Доступність даних» або в списку літератури. У цьому розділі автори мають коротко вказати, де розміщені дані, на яких умовах вони доступні, а також чи існують обмеження щодо їх використання.
Рекомендований формат заяви:
Доступність даних. Дослідницькі дані, що підтверджують результати цієї статті, розміщені в [назва репозитарію] та доступні за DOI: [DOI].
Якщо відкриті дані не розміщувалися, можна зазначити:
Доступність даних. Дані, що підтверджують результати цього дослідження, можуть бути надані відповідним автором на обґрунтований запит, якщо це не суперечить правовим, етичним, договірним або технічним обмеженням.