Optoelectronics and Semiconductor Technique
Оптоeлектроніка та напівпровідникова техніка
ISSN 1011-6559 (1982-2018) | ISSN 2707-6806 (print) ISSN 2707-6792 (online)
Abbreviated key-title: Optoelektron. napìvprovìd. teh.
Т. 53 (2018) | to English version
ЗМІСТ
Академік О.Є. Бєляєв, директор Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України. Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України – 58 років у складі НАН України 5-12 (PDF)
В.П. Костильов, А.В. Саченко. Напівпровідникова фотоенергетика: сучасний стан і актуальні напрями досліджень 13-37
В.І. Чегель, А.М. Лопатинський. Молекулярна плазмоніка – новий напрямок для досліджень у матеріалознавстві та сенсориці. Застосування та теоретичне підгрунтя (Огляд) 38-59
А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, А.І. Ткачук, С.П. Троценко. InAs фотодіоди (Огляд. Частина IV) 60-82
Л.В. Завьялова, Г.С. Свечников, Н.Н. Рощина, Б.А. Снопок. Получение и исследование полупроводниковых плёнок АІ-VІІІВVІ и функциональных структур на их основе; особенности и возможности СVD метода с применением дитиокарбаматов 83 - 123
Л.О. Ревуцька, З.Л. Денисова, О.В. Стронський. Нанесення плівок халькогенідних стекол з розчину: виготовлення, властивості, застосування (огляд) 124-139
В.О. Мороженко. Пропускання, відбиття та теплове випромінювання магнітооптичних резонаторних структур в інфрачервоному діапазоні спектра: дослідження та застосування (огляд) 149-160
В.С. Кретуліс, І.Є. Мінакова, П.Ф. Олексенко, В.М. Сорокін. Оптоелектронний нефелометричний вимірювач метеопараметрів атмосферного середовища 161-168
К.В. Михайловська, В.А. Данько, О.Й. Гудименко, В.П. Кладько, І.З. Індутний, П.Є. Шепелявий, М.В. Сопінський. Особливості фотолюмінесценції наночастинок кремнію у багатошарових (SіOх–SіOy)nструктурах з поруватими ізолюючими шарами 169-180
В.П. Велещук, О.І. Власенко, З.К. Власенко, Д.М. Хміль, О.М. Камуз, С.Г. Неділько, В.П. Щербацький, Д.В. Гнатюк, В.В. Борщ, М.П. Киселюк. Механізми появи видимої паразитної люмінесценції у світлодіодах ультрафіолетового випромінювання 365 нм 181-187
В.П. Маслов, А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, М.Ю. Кравецький, Н.В. Качур, Є.Ф. Венгер, А.Т. Ворощенко, І.Г. Луцишин, І.М. Матіюк, А.В. Федоренко. Особливості виготовлення, електричні та фотоелектричні властивості дифузійних Gep-i-n фотодіодів 188-198
Я.М. Оліх, М.Д. Тимочко, М.І. Ілащук. Чинники релаксації акустопровідності в CdTe 199-212
К.С. Дремлюженко, О.А. Капуш, С.Д. Борук*, Д.В. Корбутяк. Вплив стабілізатора на властивості високодисперсних систем кадмій телуриду отриманих електроіскровим методом 213-219
К.В. Костюкевич, Ю.М. Ширшов, Р.В. Христосенко, А.В. Самойлов, Ю.В. Ушенин, С.А. Костюкевич, А.А. Коптюх. Особенности углового спектра поверхностного плазмон-поляритонного резонанса в геометрии Кретчмана при исследовании латексной водной суспензии 220-239
А. Мешалкин, А.П. Паюк, Л.А. Ревуцкая, Е. Акимова, А.В. Стронский, А. Присакарь, Г. Тридух, В. Абашкин, А. Корчевой, В.Ю. Горонескуль. Прямая запись поверхностного рельефа дифракционніх решеток с использованием слоев селена как регистрирующих сред 240-247
В.Ф. Онищенко, М.І. Карась. Релаксація фотопровідності у макропористому кремнії 248-253
Г.П. Маланич, В.Н. Томашик. Формирование полированой поверхности полупроводниковіх пластин PbTe и Pb1–xSnxTe 254-260
Г.В. Дорожинська, Г.В. Дорожинський, В.П. Маслов. Особливості рефрактометричних характеристик поверхневого плазмонного резонансу моторних олив при експлуатації 261-267
Н.И. Карась, В.Ф. Онищенко. Монополярная фотопроводимость инверсионного слоя и “медленные” поверхностные уровни в структурах макропористого и монокристаллического кремния в условиях сильного поверхностного поглощения света 268-272
І.Є. Матяш, І.А. Мінайлова, О.М. Міщук, Б.К. Сердега. Компонентний аналіз спектрів фононного дихроїзму в одновісно деформованому кристалі кремнію 273-281
Правила для авторів збірника наукових праць «Оптоелектроніка та напівпровідникова техніка» 282-283 (PDF)
Contents 284 (PDF)